Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?

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Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

TK080A60Z1,S4X
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TK4R9E15Q5,S1X
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TK5R0A15Q5,S4X
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TK7R2E15Q5,S1X
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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH

TK7R4A15Q5,S4X
Toshiba
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TK7R4A15Q5,S4X

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TK9R6E15Q5,S1X
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TK9R7A15Q5,S4X
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49 A

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TK099N60Z1,S1F
Toshiba
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TK099N60Z1,S1F

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600 V

25 A

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TK115A65Z5,S4X
Toshiba
1: $6.57
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TK115A65Z5,S4X

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757-TK115A65Z5S4X

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650 V

24 A

115 mOhms

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4.5 V

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TK115N65Z5,S1F
Toshiba
1: $7.50
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TK115N65Z5,S1F

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757-TK115N65Z5S1F

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N-Channel

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650 V

24 A

115 mOhms

30 V

4.5 V

42 nC

+ 150 C

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TK125A60Z1,S4X
Toshiba
1: $3.71
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TK125A60Z1,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK125A60Z1S4X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?

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1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

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4 V

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TK155A60Z1,S4X
Toshiba
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TK155A60Z1,S4X

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757-TK155A60Z1S4X

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600 V

17 A

155 mOhms

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4 V

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