Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.6A 21,754En existencias
69,000En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 118 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 4.6 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 4.7A 75En existencias
150,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.7 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 2.8A 6En existencias
3,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 4.1 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMPB50XN/SOT1220/SOT1220 1,742En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020M-6 N-Channel 1 Channel 110 V 9.9 A 70 mOhms - 12 V, 12 V 1.4 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A 35En existencias
6,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 4A 359En existencias
3,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 2.5A 190En existencias
3,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 3.1 A 123 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.4A 701En existencias
3,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.4 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.7A 488En existencias
15,000Se espera el 04/20/2026
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.7 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.1A 2,976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-96-1-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH TRENCH 491En existencias
208,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.4A 59En existencias
9,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2.4 A 128 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.06 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 4A 1,476En existencias
17,269En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 7 nC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 4.7A 11En existencias
3,000Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP6-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.7 A 50 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 3.5A
417,802Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 8.8 nC - 55 C + 175 C 1.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 30V .27A
125,421Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1 A 270 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 800 pC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A
87,000Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 16 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 60V 8A
37,211Se espera el 04/02/2027
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 2.6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 2.1A
33,000Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 5.7 A 210 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
48,000Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH
17,897Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.7 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 40V 6A
28,356Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel 1 Channel 40 V 14 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 36 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5A
11,719Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 13 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
31,990Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 23 mOhms - 15 V, 15 V 1.4 V 17 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 20V 5.2A
27,000Se espera el 04/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 20 V 5.2 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel