Small Signal Automotive MOSFETs

Nexperia Small-Signal Automotive MOSFETs offer performance reliability with full AEC-Q101 compliance. Nexperia offers a broad portfolio of Small-Signal MOSFETs, with drain-source on-state resistance as low as 15mΩ, up to 6A maximum drain current, and drain-source voltage options from 20V to 100V. These Nexperia devices are offered in various package types for design flexibility, with leaded and leadless DFN options. 

Resultados: 104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V 2.2A
29,761En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.2 A 117 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4 nC - 55 C + 175 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 6.7A
6,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6.7 A 110 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 5 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 26A
3,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 26 A 14 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 18A
3,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 18 A 38 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 16 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.3A
8,580Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 60 mOhms - 12 V, 12 V 1.25 V 5 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 5.7A
6,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 5.7 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.4 nC - 55 C + 175 C 7.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 7.4A
5,955Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 7.4 A 271 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 6 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 1.9A
11,847En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 5.1 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 6A
6,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 40 V 18 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 4A
7,500Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 11 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10.6 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 80V 3.2A
11,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 80 V 9.8 A 81 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 18.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 40V 8A
2,602Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 13 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 5.5A
8,980Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 9 nC - 55 C + 175 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 P-CH 60V 2.5A
8,793Se espera el 02/08/2027
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 11 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 40V 6.2A
6,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.7 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18.6 nC - 55 C + 150 C 1.39 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 6.4A
3,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.4 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 100V 1.2A
6,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.2 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 40V 5.4A
14,716En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457-6 N-Channel 1 Channel 40 V 5.4 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 667 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMN48XPA2/SOT457/SC-74
5,953Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-96-1-8 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 55 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 7 nC - 55 C + 175 C 660 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 3.6A
6,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 4.5 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 P-CH 20V 3.2A
15,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 122 mOhms - 8 V, 8 V 1.25 V 5 nC - 55 C + 175 C 1.95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 8.9A
9,000Se espera el 02/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.9 A 12.2 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 6.6 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 20V 9A
3,000Se espera el 02/08/2027
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 9 A 14 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV 34 nC - 55 C + 150 C 12.5 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 30V 7.5A
2,605Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020MD-6 N-Channel 1 Channel 20 V 7.5 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 750 mV 15 nC - 55 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel