40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

Resultados: 59
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,894En existencias
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 64.9 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,990En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 42 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,890En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 43 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,000En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,822En existencias
3,000Se espera el 04/16/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 20 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,987En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-2 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 41 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,891En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 61 A 17.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,927En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 67 A 14.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,888En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 42 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,000En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 48 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,928En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 88 A 6.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,298En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 78 A 7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,952En existencias
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 68 A 8.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 9,667En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 55 A 11.6 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,990En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 40 V 61 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,598En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 6 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,874En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 40 V 192 A 1.88 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,000En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 136 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,994En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 136 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,884En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060B-8 N-Channel 2 Channel 40 V 35 A 13.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,675En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,834En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 15.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4,887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 19.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape