Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions

Toshiba Discrete Solid State Drive (SSD) Solutions feature a broad product lineup that meets current requirements with TVS, Shottkey Barrier Diodes (SBD), LDOs, Load Switch ICs, and the powerful eFuse IC. These SSDs can parse through data quicker than a traditional Hard Disk Drive (HDD). As SSD technology improves, it will require power circuitry that meets increasingly rigorous power demands and protection that keeps essential data safe from failures. Toshiba offers a comprehensive lineup of load switches and MOSFETs for controlling power inputs, protection ICs, and diodes designed to handle abnormal input power conditions and overvoltage surges during hotplug.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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304,777En existencias
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Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente eFuse IC, Auto retry, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable SRC
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7,308En existencias
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Toshiba Reguladores de tensión LDO LDO Linear Voltage Regulator .3A 3.3V
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63,823En existencias
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Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente eFuse IC, Latch type, 6V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Adjustable OCP
Hoja de datos
9,596En existencias
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Toshiba Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PC Load Switch IOUT:2A VIN:0.75-3.6
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5,698En existencias
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Toshiba Reguladores de tensión LDO
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2,022En existencias
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Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente eFuse IC, Auto retry, 15.1V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable OCP
Hoja de datos
23,203En existencias
8,000Se espera el 02/20/2026
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode .3pF 5.0V
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90,976En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
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161,153En existencias
72,000Se espera el 05/04/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
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25,968En existencias
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Toshiba Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Load Switch IC
Hoja de datos
3,083En existencias
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Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente eFuse IC, Latch type, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable SRC
Hoja de datos
3,960En existencias
Min.: 1
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Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente eFuse IC, Auto retry, 6V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Adjustable OCP
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2,492En existencias
18,000Se espera el 02/13/2026
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Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente eFuse IC, Latch type, 15.1V Voltage Clamp, Vin: 4.4V-18V, 5A, Ron: 28mOhm, Adjustable OCP
Hoja de datos
3,536En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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18,243En existencias
24,000Se espera el 03/02/2026
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Toshiba Reguladores de tensión LDO 1500mA LDO, Vout=0.6 to 3.6V, Dropout=120mV, Iq=25uA, PSRR=95dB, in WCSP6F package
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4,999En existencias
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Toshiba Reguladores de tensión LDO CMOS Point Regulator Single Output
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9,115En existencias
15,000Se espera el 05/11/2026
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Toshiba Rectificadores y diodos Schottky Sml-Signal Schottky 2A 30V 380pF
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6,803En existencias
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Toshiba Rectificadores y diodos Schottky Sml-Signal Schottky 2A 40V 300pF
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6,165En existencias
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode .3pF 6.2V
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38,968En existencias
60,000Se espera el 02/16/2026
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 50A +/-30kV
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283En existencias
20,000Se espera el 02/16/2026
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode 80A +/-30kV
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12,884En existencias
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Min.: 1
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
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111En existencias
12,000Se espera el 05/18/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm
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1,097En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 3,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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7,886En existencias
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