CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

Resultados: 191
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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153,547En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 59.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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5,847En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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382En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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831En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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3,132En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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4,661En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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27,823En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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864En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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4,458En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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8,737En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,483En existencias
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Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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5,962En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 137 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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3,364En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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12,380En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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10,467En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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4,980En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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6,275En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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19,852En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 6 A 740 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 6.8 nC - 40 C + 150 C 30.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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5,912En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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917En existencias
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 40 C + 150 C 154 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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12,010En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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828En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,722En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
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1,783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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3,402En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube