|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp
- STW26NM50
- STMicroelectronics
-
1:
$13.19
-
662En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp
|
|
662En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 A
|
120 mOhms
|
30 V
|
5 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
313 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- STF11NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$7.79
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
850En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
|
|
850En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
11 A
|
400 mOhms
|
30 V
|
3 V
|
43.6 nC
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
- STW77N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$17.39
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW77N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
|
|
495En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
69 A
|
30 mOhms
|
25 V
|
4 V
|
200 nC
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
400 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
- STB31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.35
-
980En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
|
|
980En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
22 A
|
148 mOhms
|
25 V
|
3 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
- STF26NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$8.81
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,749En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
|
|
1,749En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
20 A
|
165 mOhms
|
30 V
|
3 V
|
60 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
- STP20NM60FP
- STMicroelectronics
-
1:
$8.50
-
1,220En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
|
|
1,220En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
20 A
|
290 mOhms
|
30 V
|
3 V
|
54 nC
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
45 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- STP28NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$7.34
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
524En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
|
|
524En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
21 A
|
158 mOhms
|
25 V
|
4 V
|
50 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
90 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- STW28NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$9.01
-
633En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW28NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
|
|
633En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
21 A
|
158 mOhms
|
25 V
|
4 V
|
50 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
- STW42N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$11.23
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
476En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
|
|
476En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
33 A
|
70 mOhms
|
25 V
|
3 V
|
98 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- STB28NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$8.36
-
501En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
|
|
501En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
21 A
|
158 mOhms
|
25 V
|
4 V
|
50 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
- STP12NM50FP
- STMicroelectronics
-
1:
$4.85
-
1,194En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50FP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp
|
|
1,194En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
12 A
|
350 mOhms
|
30 V
|
3 V
|
39 nC
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
- STP18N55M5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.94
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,043En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP18N55M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5
|
|
2,043En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
550 V
|
13 A
|
240 mOhms
|
25 V
|
3 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
90 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- STB11NM80T4
- STMicroelectronics
-
1:
$8.70
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,282En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
|
|
1,282En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
11 A
|
400 mOhms
|
30 V
|
3 V
|
43.6 nC
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
- STB38N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.45
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
641En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB38N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
|
|
641En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
30 A
|
95 mOhms
|
25 V
|
3 V
|
71 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
- STF38N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.92
-
1,953En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
|
|
1,953En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
19 A
|
95 mOhms
|
25 V
|
3 V
|
71 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
- STP34NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$11.43
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
830En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP34NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch
|
|
830En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
29 A
|
92 mOhms
|
25 V
|
2 V
|
84 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
210 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
- STW34NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$8.70
-
566En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
|
|
566En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
31.5 A
|
105 mOhms
|
25 V
|
2 V
|
84 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
- STF21N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.81
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
899En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF21N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
|
|
899En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
150 mOhms
|
25 V
|
3 V
|
50 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
- STP14NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.39
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
700En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP14NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
|
|
700En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
12 A
|
280 mOhms
|
25 V
|
4 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
90 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
- STP23NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$6.76
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP23NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
|
|
1,000En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
17 A
|
162 mOhms
|
25 V
|
2 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
- STW38N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.52
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,679En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW38N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
|
|
1,679En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
30 A
|
95 mOhms
|
25 V
|
3 V
|
71 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
- STF18NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$9.06
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1En existencias
-
2,000Se espera el 11/28/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
|
|
1En existencias
2,000Se espera el 11/28/2026
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
17 A
|
250 mOhms
|
30 V
|
3 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
- STI13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$2.88
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
834En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
|
|
834En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-262-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
11 A
|
360 mOhms
|
25 V
|
2 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
90 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
- STB23NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$6.03
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
471En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
|
|
471En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
17 A
|
162 mOhms
|
25 V
|
2 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF19NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.82
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
512En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
|
|
512En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
14 A
|
250 mOhms
|
25 V
|
2 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
|