Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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12,410En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.8 A, 11.4 A 11.5 mOhms, 18.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC, 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.4 W, 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs SO-8
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2,866En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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21,275En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25.4 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V
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5,086En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13.5 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 50 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm
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2,044En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs SO-8
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3,821En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 12 V 34 A 2.7 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 84 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 23A 3.5W
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6,517En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 28 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 100 nC - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8
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6,462En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 3.7 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8
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1,557En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 2.7 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 161 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V
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3,278En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 28 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 100 nC - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8
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4,794En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 20 V 8 A 19.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 62 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
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2,280En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V
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2,735En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8
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2,633En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 13 A 30 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 65 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8
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1,781En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 20 V 8 A 19.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 62 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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2,453En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 25 V 18 A 8.6 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 56 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2,355En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24.5 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 68 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
Hoja de datos
2,165En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 2,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
25,956En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 19.7 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 69 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8
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20,948En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 8.5 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
36,402En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 8 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 32 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
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2,281En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 9.2 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8
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37,888En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7.2 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 25 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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7,418En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 8 A 24 mOhms, 27 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 1.2 V 13.3 nC, 41.5 nC - 55 C + 150 C 3.1 W, 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
6,110En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 40 V 8 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel