Resultados: 26
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL 1,972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 68 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.3 nC - 55 C + 175 C 57.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 3,880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 7,389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 70 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 2,977En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 2,177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 9En existencias
7,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 111 A 4.2 mOhms 20 V 2.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 1,406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 7.4 mOhms 20 V 2.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 27,865En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 1,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 7.4 mOhms 20 V 2.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 1,477En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.5 mOhms 20 V 2.2 V 9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.5 mOhms 20 V 2.2 V 9 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 386En existencias
1,500Se espera el 05/27/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 28 mOhms 20 V 2.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 7,915En existencias
28,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 111 A 3.5 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 5,633En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.9 mOhms, 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 1,002En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 111 A 3.5 mOhms, 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 3,036En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 49 A 9.8 mOhms, 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 4,072En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 49 A 9.8 mOhms, 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 3,555En existencias
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 26 A 23 mOhms, 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 175 C 19 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 83En existencias
1,500Se espera el 05/29/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 56En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 38 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.9 mOhms, 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 29 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 1,251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 281En existencias
3,000Se espera el 07/31/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 9.2 mOhms, 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9 nC - 55 C + 175 C 24 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape