SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Resultados: 36
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
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28,077En existencias
100,000En pedido
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Min.: 1
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: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
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46En existencias
54,000En pedido
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
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176,046En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V
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189,600En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
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36,255En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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121,265En existencias
60,000Se espera el 07/24/2026
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
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48,755En existencias
6,000Se espera el 07/17/2026
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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154,392En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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51,839En existencias
234,000En pedido
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
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27,973En existencias
30,000En pedido
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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61,274En existencias
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Min.: 1
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: 8,000

Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.4A VDSS=60V
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80,294En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 390 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET
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246,939En existencias
130,000Se espera el 07/17/2026
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Min.: 1
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: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V
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4,980En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms - 6 V, 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
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7,063En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
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1,426En existencias
3,000Se espera el 08/28/2026
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V
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5,407En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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12,473En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
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31,365En existencias
48,000Se espera el 08/28/2026
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Min.: 1
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: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
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17,239En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V
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2,190En existencias
18,000Se espera el 09/04/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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Comentarios de Producto
5,525En existencias
15,000Se espera el 07/17/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
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4,841En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
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7,289En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
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5,181En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 43 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel