Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Enhancement

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IPD70R900P7SAUMA1
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IPD80R1K2P7ATMA1
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IPL60R365P7AUMA1
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IPL60R365P7AUMA1

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IPA95R450P7XKSA1
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IPA95R450P7XKSA1

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Tube

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IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN70R360P7SXKSA1

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726-IPAN70R360P7SXKS

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IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

950 V

6 A

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2.5 V

15 nC

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52 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $2.81
1,522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R285P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1

Infineon Technologies

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$2.81

$1.79

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$1.04

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$0.911

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SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

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13 A

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3 V

18 nC

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59 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $1.80
3,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

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$1.80

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.35
3,963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R450P7SATMA1

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726-IPN70R450P7SATM1

Infineon Technologies

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3,963En existencias

Cinta cortada

$1.35

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Envase tipo carrete

$0.319

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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

10 A

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- 16 V, 16 V

2.5 V

13.1 nC

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7.1 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.63
2,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,510En existencias

Cinta cortada

$1.63

$0.963

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Envase tipo carrete

$0.438

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.57
2,815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K2P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2,815En existencias

Cinta cortada

$1.57

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$0.659

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Envase tipo carrete

$0.411

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

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6.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.51
2,045En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,045En existencias

Cinta cortada

$1.51

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Envase tipo carrete

$0.393

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

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+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.17
1,419En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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$0.614

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

20 nC

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7.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
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Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R3K3P7ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

Hoja de datos

5,052En existencias

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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

6.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
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Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W