CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

Resultados: 78
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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7,294En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2,702En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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487En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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918En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
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1,244En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
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897En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
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2,662En existencias
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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795En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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6,349En existencias
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
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204En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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180En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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474En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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385En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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2,875En existencias
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Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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243En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
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3,195En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,534En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

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2,720En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
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1,057En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,097En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,270En existencias
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Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 404 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
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2,674En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel