Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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DMN53D0L-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
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360 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
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SMD/SMT
X2-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.3 A
175 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.6 nC
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500 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A
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SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
40 V
4.8 A
34 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 4K
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SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
60 V
5.6 A
68 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
10.3 nC
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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DMN1019UVT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
1 Channel
12 V
10.7 A
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350 mV
50.4 nC
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+ 150 C
1.73 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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DMN2230UQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
2 A
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- 12 V, 12 V
500 mV
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600 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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DMN53D0LW-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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DMN6075S-7
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621-DMN6075S-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
2.5 A
85 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
12.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.15 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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DMN61D8LQ-7
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621-DMN61D8LQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
21,311 En existencias
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3,000
$0.266
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
470 mA
1.8 Ohms
- 5 V, 5 V
1.3 V
740 pC
- 55 C
+ 150 C
610 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
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DMN2028USS-13
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N.º de artículo de Mouser
522-DMN2028USS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
1,450 En existencias
2,500 Se espera el 02/26/2027
1
$1.09
10
$0.509
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2,500
$0.439
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
20 V
9.8 A
20 mOhms
- 12 V, 12 V
600 mV
11.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.56 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
DMN2300UFL4-7
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1,943 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
522-DMN2300UFL4-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
1,943 En existencias
3,000 Se espera el 08/28/2026
1
$0.68
10
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500
$0.205
3,000
$0.205
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Detalles
Si
SMD/SMT
X2-DFN1310-6
N-Channel
2 Channel
20 V
2.11 A
195 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
530 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
DMN3730UFB-7
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53 En existencias
18,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-DMN3730UFB-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
53 En existencias
18,000 En pedido
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9,000 Se espera el 07/28/2027
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$0.91
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3,000
$0.346
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Máx.: 630
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
X1-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
30 V
730 mA
460 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.6 nC
- 55 C
+ 150 C
690 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
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DMN4027SSD-13
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153 En existencias
7,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
522-DMN4027SSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
153 En existencias
7,500 En pedido
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Existencias:
153 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 08/06/2027
5,000 Se espera el 08/18/2027
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36 Semanas
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$1.85
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1,000
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2,500
$0.441
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Mult.: 1
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
40 V
5.4 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
6.3 nC
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+ 150 C
1.25 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
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DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
1:
$1.43
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
4,233 En existencias
N.º de artículo de Mouser
522-DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
4,233 En existencias
1
$1.43
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$0.592
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$0.498
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$0.372
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1,000
$0.426
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25,000
$0.315
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Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
40 V
5.4 A
34 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
4.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1.56 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
1:
$0.54
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
7,698 En existencias
6,000 Se espera el 08/31/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
7,698 En existencias
6,000 Se espera el 08/31/2026
1
$0.54
10
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3,000
$0.118
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Mult.: 1
Máx.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
X2-DFN1010-3
N-Channel
1 Channel
12 V
3.2 A
25 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
4.8 nC
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+ 150 C
1.26 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
DMN10H100SK3-13
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1:
$1.47
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2,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
573 En existencias
2,500 En pedido
1
$1.47
10
$0.689
100
$0.591
500
$0.504
1,000
$0.431
2,500
$0.379
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
25.2 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
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DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
1:
$1.09
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
405 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
405 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.09
10
$0.53
100
$0.468
500
$0.34
1,000
$0.289
3,000
$0.231
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
1 Channel
100 V
2.24 A
250 mOhms
- 16 V, 16 V
1 V
8.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.67 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
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DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
1:
$1.04
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
2,167 En existencias
9,000 Se espera el 05/19/2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
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SOT-23-3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
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621-DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
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SOT-223-3
N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
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7.3 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
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SMD/SMT
V-DFN3020-8
N-Channel
2 Channel
30 V
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- 20 V, 20 V
1 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
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DMN3053L-7
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621-DMN3053L-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
4 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
600 mV
17.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.2 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
DMN30H4D0LFDE-7
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621-DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
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Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
300 V
550 mA
2.3 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
7.6 nC
- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
DMN4026SK3-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser
621-DMN4026SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
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Carrete :
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
28 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
9.6 nC
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