Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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TQM070NH04LCR RLG
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AEC-Q101

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TQM033NB04CR RLG
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Enhancement

AEC-Q101

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TQM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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TQM110NB04CR RLG

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PDFN56U-5

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1 Channel

40 V

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TQM025NB04CR RLG
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TQM025NB04CR RLG

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$3.05

$1.81

$1.39

$1.21

$1.15

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SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

40 V

24 A

2.5 mOhms

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3.8 V

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3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TQM019NH04CR-V RLG
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TQM019NH04CR-V RLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

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$7.53

$5.62

$4.55

$4.04

$3.89

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$3.57

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PDFN-56

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V

TQM048NH10LCR RLG
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TQM048NH10LCR RLG

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821-TQM048NH10LCRRLG

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$3.93

$2.57

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$1.41

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SMD/SMT

DFN56U-8

N-Channel

1 Channel

100 V

146 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

24 nC

- 55 C

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224 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

TQM075NH10LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $2.92
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TQM075NH10LCR RLG

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$2.92

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$1.02

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SMD/SMT

DFN56U-8

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM145NH08CR RLG
Taiwan Semiconductor
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TQM145NH08CR RLG

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821-TQM145NH08CRRLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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$1.99

$1.28

$0.86

$0.683

$0.641

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$0.598

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SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

80 V

52 A

14.5 mOhms

20 V

3.6 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM240NH10CR RLG
Taiwan Semiconductor
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Nuevo producto

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TQM240NH10CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM240NH10CRRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

$1.85

$1.18

$0.789

$0.622

Envase tipo carrete

$0.51

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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U

N-Channel

1 Channel

100 V

34 A

24 mOhms

20 V

3.6 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

PerFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V

TQM250NH10LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $2.44
2,500En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
TQM250NH10LDCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM250NH10LDCRLG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V

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$2.44

$1.58

$1.08

$0.861

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$0.791

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN56U-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

5.5 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002CU RFG
Taiwan Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002CU RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002CURFG

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

$0.33

$0.226

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SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

60 V

310 mA

3 Ohms

20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

568 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TQM2N7002DCU6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: $0.40
18,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TQM2N7002DCU6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM2N7002DCU6RFG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

$0.40

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$0.102

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SMD/SMT

SOT-363

N-Channel

1 Channel

60 V

260 mA

3 Ohms

20 V

2.5 V

1.7 nC

- 55 C

+ 150 C

376 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM019NH04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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40 V

214 A

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- 20 V, 20 V

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64 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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- 16 V, 16 V

2.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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174 A

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- 20 V, 20 V

3.6 V

42 nC

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37 nC

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+ 175 C

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

160 mA
170 mA
190 mA
260 mA
310 mA
320 mA
330 mA
360 mA
370 mA
380 mA
6 A
7 A
10 A
12 A
15 A
22 A
24 A
26 A
31 A
33 A

1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
4.3 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.6 mOhms
5.8 mOhms
6.3 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.6 mOhms
10 mOhms
11 mOhms
13 mOhms
14.5 mOhms
15 mOhms
17 mOhms

1.7 nC
1.8 nC
1.9 nC
2 nC
4.8 nC
5.5 nC
5.8 nC
6 nC
6.2 nC
6.6 nC
8.4 nC
8.7 nC
9.4 nC
10.7 nC
11 nC
13 nC
13.6 nC
14 nC
14.2 nC
16 nC

300 mW
316 mW
320 mW
328 mW
337 mW
376 mW
400 mW
403 mW
416 mW
568 mW
806 mW
2.5 W
3.1 W
30 W
35 W
36 W
43 W
46.8 W
48 W
49 W