TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

Resultados: 64
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 9,996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 40 V 38 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 9,865En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 60 V 26 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 9,972En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET 4,992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET 2,463En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET 2,496En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56 Dual N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET 898En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 7.6 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 46.8 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 0.17A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20,078En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 328 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14,212En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 38,881En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16,935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 316 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7,319En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 370 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 416 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 19,165En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-3 N-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 337 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.16A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16,956En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 160 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.19A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14,904En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 190 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 403 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET 2,728En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 60 V 104 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V MOSFET 15 MOhms 4,961En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 39 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
30,000En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-3 N-Channel 1 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
18,000Se espera el 10/28/2026
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 806 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.17A, Dual P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
18,000Se espera el 08/26/2026
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-3 P-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 59 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.9 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 4.3 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Non-Logic Level, RDS (max) 4.8V Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.3 nC - 55 C + 175 C 78.9 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel