|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD380P06NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.44
-
31,651En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
31,651En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.861
|
|
|
$0.804
|
|
|
$0.791
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
35 A
|
38 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)
- BSO613SPVGXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.67
-
11,372En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSO613SPVGXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)
|
|
11,372En existencias
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.704
|
|
|
$0.553
|
|
|
$0.504
|
|
|
$0.426
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
3.44 A
|
110 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.5 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPD19DP10NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.91
-
4,479En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD19DP10NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
4,479En existencias
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.816
|
|
|
$0.645
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.515
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
13.7 A
|
186 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
36 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPD11DP10NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.17
-
2,859En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD11DP10NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
2,859En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.887
|
|
|
$0.744
|
|
|
$0.686
|
|
|
$0.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
22 A
|
111 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
59 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPB19DP10NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.44
-
1,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB19DP10NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.895
|
|
|
$0.719
|
|
|
$0.692
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
13.8 A
|
185 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
36 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD900P06NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.45
-
2,201En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD900P06NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
2,201En existencias
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.89
|
|
|
$0.607
|
|
|
$0.474
|
|
|
$0.384
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.431
|
|
|
$0.356
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
16.4 A
|
90 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
63 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
- BSS84IXUSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.26
-
42,299En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS84IXUSA1
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
|
|
42,299En existencias
|
|
|
$0.26
|
|
|
$0.156
|
|
|
$0.09
|
|
|
$0.066
|
|
|
$0.052
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.059
|
|
|
$0.044
|
|
|
$0.039
|
|
|
$0.036
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
290 mA
|
5.5 Ohms
|
20 V
|
2 V
|
290 pC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
960 mW
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
- BSP170IATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.78
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,632En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP170IATMA1
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
|
|
2,632En existencias
|
|
|
$0.78
|
|
|
$0.482
|
|
|
$0.312
|
|
|
$0.238
|
|
|
$0.164
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.213
|
|
|
$0.151
|
|
|
$0.148
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
3.2 A
|
260 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
10.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
- BSP171IATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.84
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,505En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP171IATMA1
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
|
|
2,505En existencias
|
|
|
$0.84
|
|
|
$0.519
|
|
|
$0.335
|
|
|
$0.256
|
|
|
$0.197
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.23
|
|
|
$0.18
|
|
|
$0.163
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
3.2 A
|
250 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
6.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
- BSS83IXUSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.33
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
8,608En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS83IXUSA1
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET, -60 V
|
|
8,608En existencias
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.094
|
|
|
$0.082
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.073
|
|
|
$0.052
|
|
|
$0.048
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
550 mA
|
1.7 Ohms
|
20 V
|
2 V
|
870 pC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.04 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel
- IPB110P06LMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.73
-
4,569En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB110P06LMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel
|
|
4,569En existencias
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
100 A
|
11 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1 V
|
281 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPB720P15LMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.67
-
7,598En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB720P15LMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
7,598En existencias
|
|
|
$5.67
|
|
|
$3.78
|
|
|
$2.70
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
41 A
|
72 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
224 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP16DP10LMAXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.95
-
1,613En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP16DP10LMAXTSA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
1,613En existencias
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.835
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.624
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.532
|
|
|
$0.529
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
3.9 A
|
67 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
48 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP670P06NMAXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.17
-
1,177En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP670P06NMAXTSA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
1,177En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.937
|
|
|
$0.745
|
|
|
$0.697
|
|
|
$0.613
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
6.4 A
|
67 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
48 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPB320P10LMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.14
-
2,755En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB320P10LMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
2,755En existencias
|
|
|
$5.14
|
|
|
$3.42
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
63 A
|
32 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
219 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPD42DP15LMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.29
-
2,849En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD42DP15LMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
2,849En existencias
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.972
|
|
|
$0.787
|
|
|
$0.667
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.713
|
|
|
$0.633
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
9 A
|
420 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
43 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP330P10NMAKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.36
-
794En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP330P10NMAKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
794En existencias
|
|
|
$5.36
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.54
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
62 A
|
33 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
189 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP20EP10LMXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.32
-
13,360En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP20EP10LMXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
13,360En existencias
|
|
|
$0.32
|
|
|
$0.19
|
|
|
$0.151
|
|
|
$0.143
|
|
|
$0.135
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.128
|
|
|
$0.125
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
990 mA
|
200 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
4.2 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP12DP06NMXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.28
-
4,784En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP12DP06NMXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
4,784En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.801
|
|
|
$0.527
|
|
|
$0.406
|
|
|
$0.366
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.333
|
|
|
$0.294
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
2.8 A
|
125 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
20.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
4.2 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP14EP15LMXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.43
-
3,703En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP14EP15LMXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
3,703En existencias
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.264
|
|
|
$0.212
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.192
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.182
|
|
|
$0.176
|
|
|
$0.175
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
1.29 A
|
1.38 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
11.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPB330P10NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.39
-
347En existencias
-
1,000Se espera el 07/02/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB330P10NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
347En existencias
1,000Se espera el 07/02/2026
|
|
|
$5.39
|
|
|
$3.59
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.27
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
62 A
|
33 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
189 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPD18DP10LMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.02
-
742En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD18DP10LMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
742En existencias
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.869
|
|
|
$0.69
|
|
|
$0.631
|
|
|
$0.574
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
13.9 A
|
178 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD25DP06NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.26
-
1,973En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD25DP06NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,973En existencias
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.788
|
|
|
$0.515
|
|
|
$0.396
|
|
|
$0.312
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.287
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
6.5 A
|
250 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
10.6 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
28 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD650P06NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.22
-
1,604En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD650P06NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,604En existencias
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.962
|
|
|
$0.766
|
|
|
$0.702
|
|
|
$0.633
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
P-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
22 A
|
65 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
- ISP16DP10LMXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.88
-
1,683En existencias
-
2,000Se espera el 07/02/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISP16DP10LMXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS
|
|
1,683En existencias
2,000Se espera el 07/02/2026
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.566
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.445
|
|
|
$0.428
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.401
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
3.9 A
|
160 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
5 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
Puerto Rico