Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
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IRFB7545PBF
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IRFB7545PBF

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Tube

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Infineon Technologies
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IPT009N06NM5ATMA1

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IPTC012N06NM5ATMA1

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726-IPTC012N06NM5ATM

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQD009N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQD009N06NM5CGATMA1

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IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQDH88N06LM5CGATMA1

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726-IQDH88N06LM5CGAT

Infineon Technologies

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IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.27
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IQE022N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGAT

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$3.27

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.20
3,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.54
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IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

Infineon Technologies

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$3.54

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$1.14

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ISC015N06NM5LF2ATMA1

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726-ISC015N06NM5LF2A

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IPTC007N06NM5ATMA1

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726-TC007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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2,498En existencias

Cinta cortada

$6.98

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SMD/SMT

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IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
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IQFH86N06NM5ATMA1

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290En existencias

Cinta cortada

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IQFH99N06NM5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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$2.26

Envase tipo carrete

$2.04

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

339 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.72
13,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N06S5L050ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

13,003En existencias

Cinta cortada

$1.72

$1.11

$0.739

$0.59

$0.536

Envase tipo carrete

$0.437

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $5.17
2,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IST011N06NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST011N06NM5AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,869En existencias

Cinta cortada

$5.17

$3.45

$2.46

$2.35

Envase tipo carrete

$1.91

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

399 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3.3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.69
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

$5.69

$4.78

$3.87

$3.44

$2.94

Envase tipo carrete

$2.66

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

460 A

1.12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
275 A
311 A
330 A
339 A
394 A
399 A
427 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.47 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
8 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC
137 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W
313 W