Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
1: $1.42
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
58,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7545PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

Obtenga más información

Hoja de datos

58,727En existencias

$1.42

$0.509

$0.465

$0.404

Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

95 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $4.49
792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF012N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

792En existencias

Cinta cortada

$4.49

$2.32

$1.80

$1.66

Envase tipo carrete

$1.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

282 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8

BSC0925ND
Infineon Technologies
1: $1.45
6,866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0925ND

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0925ND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

6,866En existencias

Cinta cortada

$1.45

$0.833

$0.572

$0.462

Ver

Envase tipo carrete

$0.335

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

4.2 mOhms, 4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: $4.23
1,070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

Obtenga más información

Hoja de datos

1,070En existencias

Cinta cortada

$4.23

$2.69

$1.95

$1.53

Envase tipo carrete

$1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.88
19,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD122N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD122N10N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

19,397En existencias

Cinta cortada

$1.88

$1.10

$0.836

$0.698

$0.646

Envase tipo carrete

$0.646

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.35
4,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8318TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

Obtenga más información

Hoja de datos

4,260En existencias

Cinta cortada

$1.35

$0.699

$0.499

$0.416

Ver

Envase tipo carrete

$0.318

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262

IRFSL7437PBF
Infineon Technologies
1: $2.76
1,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFSL7437PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFSL7437PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262

Obtenga más información

Hoja de datos

1,518En existencias

$2.76

$1.36

$1.22

$0.981

$0.853

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.9 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFI4212H-117PXKMA1
Infineon Technologies
1: $2.27
1,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFI4212H-117PXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFI4212H117PXKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,200En existencias

$2.27

$1.38

$1.06

$0.879

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

2 Channel

100 V

11 A

72.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4110PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $4.41
1,050En existencias
3,600Se espera el 05/19/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4110PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4110PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,050En existencias

3,600Se espera el 05/19/2026

$4.41

$2.50

$2.04

$1.67

$1.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

370 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $6.24
4,596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4468PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4468PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,596En existencias

$6.24

$3.63

$3.01

$2.91

$2.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

290 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

360 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P219AKMA1
Infineon Technologies
1: $5.51
5,410En existencias
400Se espera el 05/28/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF100P219AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF100P219AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,410En existencias

400Se espera el 05/28/2026

$5.51

$3.20

$2.65

$2.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

203 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4368PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $7.55
152En existencias
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4368PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4368PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

152En existencias

1,200En pedido

$7.55

$4.49

$3.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

75 V

195 A

1.85 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

380 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P220AKMA1
Infineon Technologies
1: $9.93
2,331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF150P220AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF150P220AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,331En existencias

$9.93

$6.13

$5.17

$4.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

150 V

203 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC028N04NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.63
13,077En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC028N04NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC028N04NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

13,077En existencias

Cinta cortada

$1.63

$1.03

$0.684

$0.537

$0.45

Envase tipo carrete

$0.411

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

AUIRFP4568
Infineon Technologies
1: $17.76
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AUIRFP4568

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRFP4568

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V 300V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1,118En existencias

$17.76

$13.52

$11.27

$10.04

Ver

Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

4.8 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

227 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

IRFP3710PBF
Infineon Technologies
1: $4.14
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
4,047En existencias
2,400Se espera el 06/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP3710PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP3710PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC

Obtenga más información

Hoja de datos

4,047En existencias

2,400Se espera el 06/11/2026

$4.14

$2.34

$1.86

$1.55

$1.48

Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

51 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

66.7 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg

IRFR1018ETRPBF
Infineon Technologies
1: $1.67
4,638En existencias
12,000Se espera el 07/30/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFR1018ETRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR1018ETRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

4,638En existencias

12,000Se espera el 07/30/2026

Cinta cortada

$1.67

$1.06

$0.706

$0.555

Envase tipo carrete

$0.464

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

79 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.52
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
5,499En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

Obtenga más información

Hoja de datos

5,499En existencias

Cinta cortada

$4.52

$2.98

$2.10

$1.67

Envase tipo carrete

$1.67

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2.4 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

IRFB7440PBF
Infineon Technologies
1: $2.04
717En existencias
1,000Se espera el 07/14/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB7440PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB7440PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W

Obtenga más información

Hoja de datos

717En existencias

1,000Se espera el 07/14/2026

$2.04

$0.98

$0.894

$0.709

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $3.08
284En existencias
400Se espera el 06/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4310ZPBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4310ZPBFXKMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

284En existencias

400Se espera el 06/11/2026

$3.08

$1.76

$1.42

$1.05

$0.995

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IRF100P218AKMA1
Infineon Technologies
1: $7.82
140En existencias
4,800Se espera el 05/26/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF100P218AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF100P218AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

140En existencias

4,800Se espera el 05/26/2026

$7.82

$4.94

$4.14

$3.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

209 A

1.28 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

330 nC

- 55 C

+ 175 C

556 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC

IRFS7430TRL7PP
Infineon Technologies
1: $4.41
440En existencias
5,600Se espera el 06/01/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS7430TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS7430TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC

Obtenga más información

Hoja de datos

440En existencias

5,600Se espera el 06/01/2026

Cinta cortada

$4.41

$2.86

$2.05

$1.62

Envase tipo carrete

$1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

522 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

305 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.96
35,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

35,000En pedido

Cinta cortada

$1.96

$1.24

$0.869

$0.726

Ver

Envase tipo carrete

$0.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4568PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $5.96
1,590Se espera el 07/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4568PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4568PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,590Se espera el 07/02/2026

$5.96

$3.52

$2.92

$2.91

$2.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

150 V

171 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

151 nC

- 55 C

+ 175 C

517 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IRF150P221AKMA1
Infineon Technologies
1: $7.33
1,959Se espera el 03/18/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF150P221AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRF150P221AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,959Se espera el 03/18/2027

$7.33

$4.31

$3.59

$3.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

150 V

186 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.6 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

11 A
40 A
51 A
59 A
79 A
95 A
120 A
121 A
171 A
180 A
186 A
195 A
203 A
209 A
230 A
250 A
270 A
282 A
290 A
300 A

1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.28 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.85 mOhms
1.9 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
4.2 mOhms, 4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.8 mOhms
4.9 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
7.1 mOhms

12 nC
17 nC
26 nC
29 nC
41 nC
66.7 nC
69 nC
72 nC
75 nC
80 nC
120 nC
135 nC
140 nC
150 nC
151 nC
155 nC
160 nC
168 nC
200 nC
225 nC

3.6 W
18 W
30 W
75 W
94 W
96 W
110 W
125 W
143 W
180 W
230 W
250 W
280 W
341 W
370 W
375 W
380 W
517 W
520 W
556 W