1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

Resultados: 26
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1,390En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
2,419En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
947En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
Hoja de datos
893En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
660En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
1,147En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
1,930En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
1,830En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
Hoja de datos
1,853En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
Hoja de datos
1,182En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
205En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
282En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
Hoja de datos
224En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
Hoja de datos
181En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V
Hoja de datos
2,163En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
456En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
187En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
Hoja de datos
198En existencias
450Se espera el 09/09/2026
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
757En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
Hoja de datos
84En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Hoja de datos
539En existencias
1,600En pedido
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
Hoja de datos
183En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
53En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Hoja de datos
1En existencias
439Se espera el 09/15/2026
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC