Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Ancho de bus de datos Frecuencia de reloj máxima Paquete / Cubierta Organización Tiempo de acceso Voltaje de alimentación - Mín. Voltaje de alimentación - Máx. Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V 440En existencias
480En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R 2,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2,000

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape