QPA0001 GaN Driver Amplifiers

Qorvo QPA0001 GaN Driver Amplifiers are based on 0.15µm QGaN15 on the SiC process in a 4mm x 3mm x 0.65mm mold-encapsulated QFN package. These amplifiers feature a 8.5GHz to 10.5GHz operating frequency range, 2W saturated output power, 50% power-added efficiency, and 27dB of large signal gain. The QPA0001 amplifiers also feature 33dBm output power, -40°C to 85°C operating temperature range, 16V drain voltage, and 55mA drain current. These amplifiers are ideal for commercial, military radar, and communications.

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 Fabricante:
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Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Tecnología
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN
Hoja de datos
54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 16 V 55 mA 33 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA0001 Reel
Qorvo Amplificador de RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

QPA0001 Reel