Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Microchip Technology DRF1311
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 1000 V 2000 W 30 MHz T4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si Bulk
Microchip Technology VRF152G
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
Microchip Technology VRF152GMP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz T12
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
NXP Semiconductors AFM912NT1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

Si 4.7 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 13.3 dB 15.7 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors AFV121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 112 V 960 MHz to 1.215 GHz 16.9 dB 1.23 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 110 V 20 dB 1 kW + 150 C Screw Mount NI-1230-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP5150GNR1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 99 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel Si 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.1 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount TO-270WBG-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230GS-4 Reel
NXP Semiconductors MRFE8VP8600HR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 17 A 115 V 470 MHz to 860 MHz 21 dB 140 W - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4 Reel
MACOM DU1215S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,15W,12V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 40
Mult.: 20

Si
MACOM DU2805S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,5W,28V,2-175 MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si
MACOM DU28200M
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

N-Channel Si 20 A 65 V 175 MHz 13 dB 200 W + 200 C Screw Mount
MACOM DU2840S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 40
Mult.: 20

Si
MACOM DU2880T
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM DU2880U
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20
Si
MACOM LF2805A
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM MRF136Y
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<400MHz,28V,30W,Mos
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si
MACOM MRF154
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 6
Mult.: 2

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 17 dB 600 W - 65 C + 150 C 368-3
MACOM MRF157MP
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 5
Mult.: 1
Si
MACOM MRF175GV
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,200W,<225MHz,28V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10
Carrete: 10

Si Reel
MACOM MRF176GU
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,200W,<225MHz,50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
MACOM MRF176GV
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<500MHz,50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
MACOM UF2805B
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

Si
MACOM UF28100M
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si