|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
- BLA9H0912LS-700GU
- Ampleon
-
1:
$367.03
-
42En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLA9H0912LS-700GU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
|
|
42En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
60 mOhms
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
20 dB
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT502E-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
- BLC2425M10LS500PZ
- Ampleon
-
1:
$167.08
-
110En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS500PZ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
|
|
110En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
45.5 mOhms
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
14.5 dB
|
500 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT1250-1-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
- BLF978PU
- Ampleon
-
1:
$268.41
-
111En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF978PU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
|
|
111En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
54 mOhms
|
700 MHz
|
24.5 dB
|
1.2 kW
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
- BLL9G1214L-600U
- Ampleon
-
1:
$215.56
-
115En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLL9G1214L-600U
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
|
|
115En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
26 mOhms
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
19 dB
|
600 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT502A-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
- BLM10D3438-35ABZ
- Ampleon
-
1:
$23.01
-
1,000En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM10D3438-35ABZ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$23.01
|
|
|
$17.86
|
|
|
$16.55
|
|
|
$15.56
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.76
|
|
|
$15.29
|
|
|
$13.76
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
3.4 GHz to 3.8 GHz
|
35.4 dB
|
45.5 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
QFN-20
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
- CLF3H0035-100U
- Ampleon
-
1:
$288.61
-
97En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035-100U
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
|
|
97En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
GaN Si
|
|
50 V
|
240 mOhms
|
0 Hz to 3.5 GHz
|
15 dB
|
100 W
|
|
+ 300 C
|
Screw Mount
|
SOT467C-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
- CLF3H0035S-100U
- Ampleon
-
1:
$288.61
-
60En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035S-100U
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
|
|
60En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
GaN Si
|
|
50 V
|
240 mOhms
|
0 Hz to 3.5 GHz
|
15 dB
|
100 W
|
|
+ 300 C
|
SMD/SMT
|
SOT467B-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-1F
- CML Micro
-
10:
$72.86
-
70En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo del Fabricante
MWT-1F
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-1F
NRND
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
|
|
70En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
220 mA
|
|
|
12 GHz
|
10 dB
|
26 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$385.28
-
21En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
|
|
21En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
24.4 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$49.06
-
175En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
175En existencias
|
|
|
$49.06
|
|
|
$40.05
|
|
|
$37.80
|
|
|
$35.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$33.44
|
|
|
$34.85
|
|
|
$33.44
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
136 MHz to 520 MHz
|
18.5 dB
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$36.51
-
457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
|
|
457En existencias
|
|
|
$36.51
|
|
|
$29.49
|
|
|
$27.73
|
|
|
$25.81
|
|
|
Ver
|
|
|
$24.32
|
|
|
$24.89
|
|
|
$24.32
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
|
136 MHz to 520 MHz
|
17.7 dB
|
33 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$739.35
-
50En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2 A
|
130 V
|
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
25 dB
|
600 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
$346.43
-
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
|
|
|
$346.43
|
|
|
$296.72
|
|
|
$284.64
|
|
|
$282.02
|
|
|
Ver
|
|
|
$264.78
|
|
|
$277.03
|
|
|
$264.78
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
130 V
|
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
25 dB
|
600 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$471.21
-
121En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
121En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
24 dB
|
1.25 kW
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
- ARF1510
- Microchip Technology
-
1:
$342.84
-
7En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
ARF1510
N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
|
|
7En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
1 kV
|
|
40 MHz
|
17 dB
|
750 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF460AG
- Microchip Technology
-
1:
$56.66
-
121En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
121En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
14 A
|
500 V
|
|
65 MHz
|
13 dB
|
150 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF460BG
- Microchip Technology
-
1:
$56.66
-
70En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460BG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
70En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
14 A
|
500 V
|
|
65 MHz
|
13 dB
|
150 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
- VRF150
- Microchip Technology
-
1:
$68.48
-
227En existencias
-
196Se espera el 06/15/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF150
N.º de artículo de Mouser
494-VRF150
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
|
|
227En existencias
196Se espera el 06/15/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
16 A
|
180 V
|
|
150 MHz
|
18 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
- VRF151
- Microchip Technology
-
1:
$70.13
-
50En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF151
N.º de artículo de Mouser
494-VRF151
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
16 A
|
180 V
|
|
175 MHz
|
22 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
- VRF2933
- Microchip Technology
-
1:
$162.59
-
35En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF2933
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
|
|
35En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
42 A
|
180 V
|
|
30 MHz
|
25 dB
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
- PD55003TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
$8.83
-
389En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
|
|
389En existencias
|
|
|
$8.83
|
|
|
$6.37
|
|
|
$5.57
|
|
|
$5.38
|
|
|
$5.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
17 dB
|
3 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
- PD55008TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
$15.26
-
689En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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689En existencias
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$15.26
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$11.28
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$9.99
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$9.56
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$9.48
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Ver
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel
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Si
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4 A
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40 V
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1 GHz
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17 dB
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8 W
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- 65 C
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+ 150 C
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015-E
- STMicroelectronics
-
1:
$22.79
-
170En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E
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STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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170En existencias
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|
$22.79
|
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$16.46
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$15.31
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$14.94
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Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel
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Si
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5 A
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40 V
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1 GHz
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14 dB
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15 W
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- 65 C
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+ 150 C
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Tube
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD57018-E
- STMicroelectronics
-
1:
$30.45
-
186En existencias
-
400Se espera el 02/17/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E
|
STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
186En existencias
400Se espera el 02/17/2026
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|
$30.45
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$25.97
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$22.72
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Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel
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Si
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2.5 A
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65 V
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760 mOhms
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1 GHz
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16.5 dB
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18 W
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- 65 C
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+ 150 C
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Tube
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
$48.89
-
394En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
394En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
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SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Tube
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