|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$192.63
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
18En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
|
|
18En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
|
Si
|
1 GHz
|
120 W
|
|
+ 200 C
|
20 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
- BFU530WF
- NXP Semiconductors
-
1:
$0.55
-
9,945En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-BFU530WF
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
|
|
9,945En existencias
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.339
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.162
|
|
|
$0.096
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.144
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.118
|
|
|
$0.092
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-323-3
|
Bipolar Wideband
|
Si
|
11 GHz
|
10 dBm
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
MACOM MRF175GU
- MRF175GU
- MACOM
-
1:
$262.59
-
5En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
|
|
5En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF468AG
- ARF468AG
- Microchip Technology
-
1:
$65.50
-
26En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF468AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
|
|
26En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP NPN 70MA 10V F
- NSVF5488SKT3G
- onsemi
-
1:
$0.41
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
7,000En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVF5488SKT3G
Fin de vida útil
|
onsemi
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP NPN 70MA 10V F
|
|
7,000En existencias
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.201
|
|
|
$0.192
|
|
|
$0.171
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.184
|
|
|
$0.176
|
|
|
$0.172
|
|
|
$0.17
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-623-3
|
Bipolar
|
Si
|
7 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
AEC-Q101
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465BG
- ARF465BG
- Microchip Technology
-
1:
$61.82
-
27En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465BG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
|
|
27En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
|
|
Si
|
60 MHz
|
150 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,960-1215MHz,38V,9pk
MACOM MRF10031
- MRF10031
- MACOM
-
1:
$267.35
-
15En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-MRF10031
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,960-1215MHz,38V,9pk
|
|
15En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
332A-3
|
Bipolar Power
|
Si
|
1.215 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 200 C
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
- CE3521M4
- CEL
-
1:
$3.47
-
90En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4
|
CEL
|
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
|
|
90En existencias
|
|
|
$3.47
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.29
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
20 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
11.9 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Bipolar/LDMOS Transistor
Microchip Technology MDS800
- MDS800
- Microchip Technology
-
1:
$617.92
-
3En existencias
-
Pedido especial de fábrica
|
N.º de artículo del Fabricante
MDS800
N.º de artículo de Mouser
494-MDS800
Pedido especial de fábrica
|
Microchip Technology
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Bipolar/LDMOS Transistor
|
|
3En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) VCEO=160V IC=600mA
- MMBT5551-G
- Comchip Technology
-
1:
$0.39
-
2,847En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
750-MMBT5551-G
|
Comchip Technology
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) VCEO=160V IC=600mA
|
|
2,847En existencias
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.169
|
|
|
$0.105
|
|
|
$0.068
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.077
|
|
|
$0.059
|
|
|
$0.051
|
|
|
$0.046
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar Power
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) . .
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
- BFY90 PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
$6.86
-
1,456En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
610-BFY90
|
Central Semiconductor
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) . .
|
|
1,456En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Through Hole
|
|
Bipolar
|
Si
|
500 MHz
|
|
- 65 C
|
+ 200 C
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
MACOM MAPRST0912-50
- MAPRST0912-50
- MACOM
-
1:
$597.70
-
2En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-MAPRST0912-50
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
|
|
2En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
- ART1K9FHU
- Ampleon
-
1:
$216.67
-
190En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART1K9FHU
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
|
|
190En existencias
|
|
|
$216.67
|
|
|
$186.98
|
|
|
$186.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
|
LDMOS
|
1 MHz to 500 MHz
|
1.9 kW
|
|
+ 225 C
|
24.6 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
- CLF24H4LS300PU
- Ampleon
-
1:
$227.13
-
120En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLF24H4LS300PU
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
|
|
120En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1214B-5
|
|
GaN SiC
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
300 W
|
|
+ 225 C
|
16 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$172.49
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
110En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
110En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
|
Si
|
1 GHz
|
400 W
|
|
+ 200 C
|
19 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
- BLF981SU
- Ampleon
-
1:
$108.81
-
55En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
|
|
55En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT-467B-2
|
|
LDMOS
|
|
170 W
|
|
+ 225 C
|
24 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
- BLF981U
- Ampleon
-
1:
$108.81
-
31En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo del Fabricante
BLF981U
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
|
|
31En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT-467C-2
|
|
LDMOS
|
|
170 W
|
|
+ 225 C
|
24 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
- BLP981XY
- Ampleon
-
1:
$54.67
-
58En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
|
|
58En existencias
|
|
|
$54.67
|
|
|
$49.70
|
|
|
$44.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1
|
|
LDMOS
|
|
170 W
|
|
+ 225 C
|
23.8 dB
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
- ART2K0FESU
- Ampleon
-
1:
$201.07
-
511En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0FESU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
|
|
511En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT539BN-5
|
|
LDMOS
|
1 MHz to 400 MHz
|
2 kW
|
|
+ 225 C
|
28.4 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
- ART2K0TFEGJ
- Ampleon
-
1:
$232.82
-
87En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART2K0TFEGJ
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
|
|
87En existencias
|
|
|
$232.82
|
|
|
$218.15
|
|
|
$216.50
|
|
|
$216.47
|
|
|
$216.43
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
ACC-1230-6G-2-7
|
|
LDMOS
|
|
|
|
+ 225 C
|
29 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,50V,150W
- MRF429
- MACOM
-
1:
$110.74
-
231En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF429
N.º de artículo de Mouser
937-MRF429
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,50V,150W
|
|
231En existencias
|
|
|
$110.74
|
|
|
$93.02
|
|
|
$83.84
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$172.49
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
20En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
|
Si
|
1.6 GHz
|
180 W
|
|
+ 200 C
|
14 dB
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$50.20
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
3,618En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
3,618En existencias
|
|
|
$50.20
|
|
|
$41.05
|
|
|
$36.20
|
|
|
$34.61
|
|
|
Ver
|
|
|
$33.66
|
|
|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
Si
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
21.1 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$99.62
-
370En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
370En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
Si
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
20.4 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$458.01
-
65En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
|
|
65En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
|
Si
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
25.1 dB
|
|
Reel, Cut Tape
|
|