Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 452
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
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1,312En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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1,286En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL
Hoja de datos
1,197En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
25,403En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 22.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
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67,781En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms
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6,924En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 225 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH
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3,979En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 225 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 312A 900MO
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2,265En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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31,137En existencias
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Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
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1,637En existencias
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Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel
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4,192En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK
Hoja de datos
1,795En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 155 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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1,536En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 143 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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1,377En existencias
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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5,653En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 103 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 69 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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2,578En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.65 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8
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20,571En existencias
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 17.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP
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2,126En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP
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2,288En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 22 A 17.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 18.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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2,178En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel
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2,855En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel
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3,021En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 71 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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2,875En existencias
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 36 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
Hoja de datos
4,049En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING
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3,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel