BIMOSFET Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Hoja de datos
2,787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
Hoja de datos
287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
Hoja de datos
3,229En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs BIMOSET 42A 1700V
Hoja de datos
297En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
Hoja de datos
294En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 60A
Hoja de datos
219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Hoja de datos
269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 1700V 25A
Hoja de datos
630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Hoja de datos
224En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 1700V 16A
Hoja de datos
239En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
Hoja de datos
180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Hoja de datos
307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3

IXYS IGBTs 1700V 16A
Hoja de datos
1,205En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 13 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
Hoja de datos
314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS IGBTs 1700V 75A
Hoja de datos
302En existencias
450Se espera el 03/27/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Hoja de datos
277En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
Hoja de datos
5En existencias
650Se espera el 05/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Hoja de datos
8En existencias
720En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Hoja de datos
1,275Se espera el 07/22/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
Hoja de datos
300Se espera el 08/13/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Hoja de datos
300Se espera el 04/01/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.7KV 16A N-CH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3