|
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
- STPSC4G065D
- STMicroelectronics
-
1:
$2.10
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,984En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC4G065D
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
|
|
1,984En existencias
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.933
|
|
|
$0.791
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.61
|
|
|
$0.586
|
|
|
$0.577
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-220AC-2
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
- STPSC6G065D
- STMicroelectronics
-
1:
$2.37
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,000En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC6G065D
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.832
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.756
|
|
|
$0.708
|
|
|
$0.664
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-220AC-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N065DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$5.76
-
210En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
210En existencias
|
|
|
$5.76
|
|
|
$4.61
|
|
|
$4.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
$2.60
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
711En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
711En existencias
|
|
|
$2.60
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.816
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.954
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.789
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
DPAK-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N050DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$7.74
-
210En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N050DM9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
210En existencias
|
|
|
$7.74
|
|
|
$5.46
|
|
|
$5.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
- STWA60N035M9
- STMicroelectronics
-
1:
$8.22
-
300En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N035M9
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
|
|
300En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
- SCT019HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.07
-
252En existencias
-
600Se espera el 11/16/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT019HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
|
|
252En existencias
600Se espera el 11/16/2026
|
|
|
$20.07
|
|
|
$16.51
|
|
|
$14.28
|
|
|
$14.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
- STD80N340K6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.31
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,575En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
|
|
2,575En existencias
|
|
|
$4.31
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.55
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.49
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
- STL120N10F8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.59
-
5,758En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL120N10F8
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
|
|
5,758En existencias
|
|
|
$2.59
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.755
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.892
|
|
|
$0.749
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
- STL320N4LF8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.97
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
4,593En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
4,593En existencias
|
|
|
$2.97
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.967
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.966
|
|
|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
- STD47N10F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.43
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
18,993En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
|
|
18,993En existencias
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.854
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.727
|
|
|
$0.84
|
|
|
$0.727
|
|
|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
- STTH200R04TV1
- STMicroelectronics
-
1:
$26.22
-
1,273En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STTH200R04TV1
|
STMicroelectronics
|
Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
|
|
1,273En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Rectifiers
|
|
SMD/SMT
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
- STTH25M06B-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.50
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
49,045En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STTH25M06B-TR
|
STMicroelectronics
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 25A, Ultrafast diode
|
|
49,045En existencias
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.621
|
|
|
$0.484
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.468
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Diodes - General Purpose, Power, Switching
|
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
- STGYA50M120DF3
- STMicroelectronics
-
1:
$6.00
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,142En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50M120DF3
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
|
|
1,142En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
- STL325N4LF8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.12
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
4,718En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL325N4LF8AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
|
|
4,718En existencias
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.03
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor in D2PAK HV package
- TN4050HP-12G2YTR
- STMicroelectronics
-
1:
$4.87
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
719En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN4050HP-12G2YTR
|
STMicroelectronics
|
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor in D2PAK HV package
|
|
719En existencias
|
|
|
$4.87
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.76
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
- TN4050HP-12WY
- STMicroelectronics
-
1:
$4.78
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
723En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN4050HP-12WY
|
STMicroelectronics
|
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
|
|
723En existencias
|
|
|
$4.78
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.22
|
|
|
$2.13
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
- SCT040H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$11.32
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
969En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3AG
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
|
|
969En existencias
|
|
|
$11.32
|
|
|
$7.85
|
|
|
$6.63
|
|
|
$5.41
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
- TN3050HP-12L2Y
- STMicroelectronics
-
1:
$4.92
-
568En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN3050HP-12L2Y
|
STMicroelectronics
|
SCR 30 A 1200 V automotive grade SCR Thyristor
|
|
568En existencias
|
|
|
$4.92
|
|
|
$4.03
|
|
|
$3.52
|
|
|
$3.25
|
|
|
$2.80
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
HUPAK-9
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STP60N043DM9
- STMicroelectronics
-
1:
$10.69
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
931En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
931En existencias
|
|
|
$10.69
|
|
|
$6.03
|
|
|
$5.57
|
|
|
$5.08
|
|
|
$5.07
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
- STL60N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$1.87
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
27,500En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
|
|
27,500En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.801
|
|
|
$0.634
|
|
|
$0.586
|
|
|
$0.535
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
- PD55003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.13
-
6,633En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
|
|
6,633En existencias
|
|
|
$11.13
|
|
|
$7.75
|
|
|
$7.13
|
|
|
$7.12
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.92
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
- STN3P6F6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.37
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
44,550En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STN3P6F6
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
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44,550En existencias
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$1.37
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$0.70
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$0.497
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$0.413
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Ver
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$0.317
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$0.376
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$0.361
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$0.317
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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SOT-223-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
- STP45N65M5
- STMicroelectronics
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1:
$7.19
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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4,094En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STP45N65M5
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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4,094En existencias
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$7.19
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$4.60
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$4.29
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$3.74
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Ver
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$3.73
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Presupuesto
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
- ESDALC6V1-5P6
- STMicroelectronics
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1:
$0.15
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
131,515En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-ESDALC6V1-5P6
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STMicroelectronics
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
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131,515En existencias
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$0.15
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$0.127
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$0.103
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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SOT-666-6
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