STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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2,032En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
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1,813En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
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1,534En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
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5,277En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
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7,090En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
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2,316En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
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5,717En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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1,678En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
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3,236En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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531En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
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649En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
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2,978En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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3,803En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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2,746En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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3,126En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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2,185En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
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1,732En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
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3,099En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
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1,571En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A
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4,686En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
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5,610En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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422En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
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1,020En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
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529En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag
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357En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel