STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Polaridad del transistor

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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MOSFETs Si Through Hole N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp
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1,981En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 80 A, STripFET H6 Power MOSFET in DPAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
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1,118En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1,728En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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981En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
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1,058En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2F-26


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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2,800En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel