STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
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640En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
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877En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
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717En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
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513En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4 N-Channel

STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
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477En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
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1,082En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
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1,005En existencias
600En pedido
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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547En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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638En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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1,779En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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450En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBTs Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
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137En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBTs Si SMD/SMT ACEPACK-9
STMicroelectronics Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
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157En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFET Modules Si Press Fit SDIP2B-26 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
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3,051En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
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5,946En existencias
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MOSFETs N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
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2,732En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
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2,988En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A
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428En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
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2,017En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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2,731En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
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2,921En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
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41En existencias
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MOSFET Modules SiC Press Fit
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
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2,119En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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20En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Carrete: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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1,671En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel