|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
- STFW40N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.78
-
435En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW40N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
|
|
435En existencias
|
|
|
$5.78
|
|
|
$3.68
|
|
|
$3.07
|
|
|
$2.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
34 A
|
78 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
63 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
- STH410N4F7-2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$6.91
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
773En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH410N4F7-2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
|
|
773En existencias
|
|
|
$6.91
|
|
|
$4.67
|
|
|
$3.46
|
|
|
$3.23
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
200 A
|
1.1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
365 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
STripFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
- STL125N8F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.16
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,955En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL125N8F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P
|
|
2,955En existencias
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.11
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
120 A
|
4.5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
167 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL16N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.01
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,440En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL16N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
1,440En existencias
|
|
|
$3.01
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.04
|
|
|
$1.04
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-HV-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
7.5 A
|
395 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
19.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
56 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
- STL52N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$6.17
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,501En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
|
|
1,501En existencias
|
|
|
$6.17
|
|
|
$4.72
|
|
|
$3.82
|
|
|
$3.40
|
|
|
$3.00
|
|
|
$3.00
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
45 A
|
84 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4.75 V
|
52 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
174 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
- STP10N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.01
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,779En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
|
|
1,779En existencias
|
|
|
$2.01
|
|
|
$0.976
|
|
|
$0.873
|
|
|
$0.699
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.627
|
|
|
$0.598
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
7.5 A
|
560 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
13.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
85 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP24N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$3.20
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
792En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
792En existencias
|
|
|
$3.20
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.15
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
17 A
|
190 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3.25 V
|
23 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
130 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
- STP34N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.41
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,225En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP34N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
|
|
1,225En existencias
|
|
|
$5.41
|
|
|
$3.35
|
|
|
$3.07
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.86
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
18.3 A
|
110 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
62.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
190 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP50N65DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.85
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
763En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP50N65DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
763En existencias
|
|
|
$7.85
|
|
|
$5.54
|
|
|
$4.62
|
|
|
$4.12
|
|
|
$3.84
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
33 A
|
91 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4.75 V
|
52.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
- STP7N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$4.04
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
930En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP7N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
|
|
930En existencias
|
|
|
$4.04
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.54
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
7.2 A
|
1.35 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
SuperMESH
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
- STS10P4LLF6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.64
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
3,100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STS10P4LLF6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
|
|
3,100En existencias
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.696
|
|
|
$0.548
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.457
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
P-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
10 A
|
12.5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.7 W
|
Enhancement
|
|
STripFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW20N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.46
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
360En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW20N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
360En existencias
|
|
|
$7.46
|
|
|
$4.39
|
|
|
$3.68
|
|
|
$3.65
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
900 V
|
20 A
|
210 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
- STW28N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.88
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
711En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW28N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
|
|
711En existencias
|
|
|
$4.88
|
|
|
$2.73
|
|
|
$1.99
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
180 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
35 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
170 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA75N65DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$14.10
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
407En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
407En existencias
|
|
|
$14.10
|
|
|
$10.67
|
|
|
$9.37
|
|
|
$8.87
|
|
|
$8.48
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
75 A
|
36 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4.75 V
|
118 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
480 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB100N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.19
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,091En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB100N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
1,091En existencias
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.951
|
|
|
$0.758
|
|
|
$0.695
|
|
|
$0.679
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
100 A
|
5.6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
|
STripFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
- STB34NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$10.55
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
|
|
970En existencias
|
|
|
$10.55
|
|
|
$7.37
|
|
|
$6.13
|
|
|
$5.72
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
29 A
|
92 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
84 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
- STD2NC45-1
- STMicroelectronics
-
1:
$0.68
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
5,449En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NC45-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
|
|
5,449En existencias
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.555
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.275
|
|
|
$0.248
|
|
|
$0.221
|
|
|
$0.212
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
450 V
|
1.5 A
|
4.5 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.3 V
|
7 nC
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
|
SuperMESH
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1000V Zener SuperMESH
- STD2NK100Z
- STMicroelectronics
-
1:
$3.04
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
733En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK100Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1000V Zener SuperMESH
|
|
733En existencias
|
|
|
$3.04
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.07
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
1.85 A
|
8.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
70 W
|
Enhancement
|
|
SuperMESH
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
- STD5N52K3
- STMicroelectronics
-
1:
$1.91
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,510En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
|
|
1,510En existencias
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.812
|
|
|
$0.655
|
|
|
$0.588
|
|
|
$0.541
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
525 V
|
4.4 A
|
1.2 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
17 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
70 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF11NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.83
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
808En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
|
|
808En existencias
|
|
|
$3.83
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.45
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
8.5 A
|
470 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
2 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF12N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.93
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,073En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
2,073En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$0.928
|
|
|
$0.826
|
|
|
$0.658
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.581
|
|
|
$0.538
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9 A
|
450 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
- STF24N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.27
-
1,168En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
|
|
1,168En existencias
|
|
|
$3.27
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
18 A
|
175 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
29 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
- STF28N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.79
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
794En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
|
|
794En existencias
|
|
|
$3.79
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.41
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
24 A
|
120 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
- STF38N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.06
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
431En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
|
|
431En existencias
|
|
|
$6.06
|
|
|
$3.45
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.69
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
19 A
|
95 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
71 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
35 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
- STF9N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.98
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,816En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
|
|
1,816En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.762
|
|
|
$0.657
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.604
|
|
|
$0.555
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
5.5 A
|
780 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3 V
|
10 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
20 W
|
Enhancement
|
|
MDmesh
|
Tube
|
|
