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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV

TPCA8120,L1Q
Toshiba
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TPCA8120,L1Q

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757-TPCA8120L1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV

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45 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1: $4.15
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TJ200F04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

SSM6N15AFU,LF
Toshiba
1: $0.31
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6N15AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N15AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

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$0.119

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Enhancement

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

SSM6L14FE(TE85L,F)
Toshiba
1: $0.46
282,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L14FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L14FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V

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Enhancement

U-MOSIII / U-MOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
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TK160F10N1L,LXGQ

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757-TK160F10N1LLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

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TO-220SM-3

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A

TPH2R408QM,L1Q
Toshiba
1: $2.42
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N.º de artículo del Fabricante
TPH2R408QM,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R408QM,L1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1: $1.77
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XPN12006NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN12006NCL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: $0.69
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6K341NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET

TK160F10N1L,LQ
Toshiba
1: $2.70
18,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK160F10N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK160F10N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET

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$2.70

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TO-220SMW-3

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1 Channel

100 V

160 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

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122 nC

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Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

TK31V60X,LQ
Toshiba
1: $6.53
4,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60X,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60XLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

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$6.53

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$2.98

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DFN8x8-5

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1 Channel

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30.8 A

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- 30 V, 30 V

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65 nC

- 55 C

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: $1.33
45,634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

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8 A

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3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPH1R306P1,L1Q
Toshiba
1: $2.74
25,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306P1,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306P1L1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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$2.74

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$1.00

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SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

SSM6L40TU,LF
Toshiba
1: $0.61
143,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L40TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L40TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V

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$0.61

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$0.112

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SMD/SMT

UF-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

1.6 A, 1.4 A

122 mOhms, 226 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 2 V

5.1 nC, 2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPW1500CNH,L1Q
Toshiba
1: $3.35
14,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1500CNH,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1500CNHL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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14,835En existencias

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$3.35

$2.18

$1.52

$1.31

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$1.06

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SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

142 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1: $2.69
26,128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1R4S04PB,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4S04PB,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$2.69

$1.74

$1.20

$0.964

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET

TPH3R70APL,L1Q
Toshiba
1: $2.36
43,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R70APL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R70APLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET

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43,046En existencias

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$2.36

$1.52

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$0.827

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$0.66

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1: $3.73
23,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR6003PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR6003PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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23,774En existencias

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$3.73

$2.63

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$1.69

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$1.37

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SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

840 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V

SSM3J134TU,LF
Toshiba
1: $0.54
15,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J134TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J134TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V

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15,000En existencias

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$0.54

$0.33

$0.21

$0.158

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

93 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

SSM6J212FE,LF
Toshiba
1: $0.52
16,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J212FE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J212FELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

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16,109En existencias

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$0.52

$0.401

$0.268

$0.21

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$0.134

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Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

94 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

14.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
1: $1.60
4,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK40S06N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK40S06N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$1.60

$1.01

$0.678

$0.534

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

26 nC

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: $1.71
2,614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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$1.71

$1.21

$0.834

$0.668

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

TPC8132,LQ(S
Toshiba
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TPC8132,LQ(S

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757-TPC8132LQS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

33 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W

TPC8133,LQ(S
Toshiba
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TPC8133,LQ(S

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757-TPC8133LQS

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SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

9 A

18 mOhms

1.9 W

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

SSM6P816R,LF
Toshiba
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SSM6P816R,LF

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757-SSM6P816RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

SSM6L09FUTE85LF
Toshiba
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SSM6L09FUTE85LF

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757-SSM6L09FUTE85LF

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Toshiba

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

400 mA, 200 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

2-10AF1A-9
2-10AG1A
CST-3
CST3-3
CST3C-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DFN2020B-6
DFN-5
DFN-6
DFN-8
DFN8x8-5
DPAK-2 (TO-252-2)
DPAK-3 (TO-252-3)
DSOP-8
DSOP-Advance-8
ES-6
ES6-6
L-TOGL-9
PS-8
PW-Mold2-3

12 V
20 V
20 V, 30 V
30 V
30 V, 20 V
34 V
38 V
40 V
45 V
50 V
60 V
60 V, 80 V
75 V
80 V
100 V
120 V
150 V
200 V
250 V
300 V

80 mA, 720 mA
100 mA
150 mA
170 mA
180 mA
180 mA, 100 mA
200 mA
250 mA
300 mA
330 mA
400 mA
400 mA, 200 mA
500 mA
500 mA, 330 mA
650 mA
700 mA
720 mA
800 mA
1 A
1.1 A

410 uOhms
470 uOhms
530 uOhms
610 uOhms
740 uOhms
770 uOhms
790 uOhms
800 uOhms
830 uOhms
840 uOhms
850 uOhms
890 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.14 mOhms
1.2 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms

- 30 V, 30 V
- 25 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 20 V
- 12 V, - 8 V, 6 V, 12 V
- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V
- 12 V, 12 V
- 12 V, 20 V
- 12 V, 6 V
- 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V
- 10 V, 10 V
- 10 V, 20 V
- 8 V, 12 V
- 8 V, 6 V
- 8 V, 8 V
- 7 V, 7 V
- 6 V, 6 V
- 5 V, 5 V
8 V
20 V

300 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 300 mV
400 mV
400 mV, 500 mV
500 mV
500 mV, 1.1 V
600 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1
1 V
1 V, 2 V
1.1 V
1.2 V
1.2 V, 1 V
1.3 V

270 pC
340 pC
350 pC
390 pC
600 pC
1 nC
1 nC, 1.6 nC
1.1 nC
1.2 nC
1.23 nC
1.23 nC, 1.2 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.7 nC
1.76 nC
1.8 nC
1.9 nC
2 nC
2 nC, 1.76 nC
2.2 nC

100 mW
132 mW
150 mW
200 mW
250 mW
285 mW
300 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
900 mW
1 W
1.2 W
1.25 W
1.33 W
1.4 W
1.5 W
1.51 W
1.6 W

DTMOSIV
DTMOSIV-H
DTMOSV
DTMOSVI
MOSIII
MOSIX
MOSV
MOSVI
MOSVII
MOSVIII
U-MOSII
U-MOSIII
U-MOSIII / U-MOSV
U-MOSIV
U-MOSIV / U-MOSVI
U-MOSIX-H
U-MOSV
U-MOSVI
U-MOSVI-H
U-MOSVII