SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches. 

Resultados: 35
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 155,004En existencias
Cinta cortada
$0.30
$0.132
$0.115
$0.085
Envase tipo carrete
$0.051
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: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 20 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
176,071En existencias
Cinta cortada
$0.63
$0.284
$0.25
$0.189
Envase tipo carrete
$0.143
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 229,543En existencias
Cinta cortada
$0.43
$0.188
$0.165
$0.123
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$0.089
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 40 V 2 A 185 mOhms 8 V 850 mV + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET ID: 0.15A 123,022En existencias
186,000Se espera el 03/12/2027
Cinta cortada
$0.19
$0.082
$0.071
$0.052
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$0.035
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 2.8 Ohms 20 V 1.1 V 350 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -5.4A, VDSS -12V 11,064En existencias
Cinta cortada
$0.88
$0.403
$0.356
$0.272
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$0.21
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: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5.4 A 14 mOhms 6 V 1 V 33 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 58,020En existencias
60,000Se espera el 11/16/2026
Cinta cortada
$0.49
$0.216
$0.189
$0.141
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$0.099
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 23 mOhms 10 V 1 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 95,810En existencias
Cinta cortada
$0.53
$0.326
$0.207
$0.156
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$0.117
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 17.5 mOhms 10 V 1 V 38.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 59,191En existencias
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$0.25
$0.108
$0.094
$0.069
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$0.036
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: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 36,019En existencias
Cinta cortada
$0.46
$0.282
$0.204
$0.179
Envase tipo carrete
$0.099
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 42,082En existencias
3,000Se espera el 12/04/2026
Cinta cortada
$0.44
$0.20
$0.194
$0.146
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$0.10
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
82,224En existencias
Cinta cortada
$0.58
$0.252
$0.235
$0.177
Envase tipo carrete
$0.134
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal Nch MOSFET 152,102En existencias
190,000En pedido
Cinta cortada
$0.23
$0.102
$0.089
$0.065
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$0.039
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: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.05 Ohms 20 V 1.1 V 600 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
6,998En existencias
Cinta cortada
$0.65
$0.293
$0.257
$0.194
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$0.153
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: 3,000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 7,919En existencias
Cinta cortada
$0.24
$0.106
$0.092
$0.068
Envase tipo carrete
$0.049
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 34,122En existencias
69,000Se espera el 02/12/2027
Cinta cortada
$0.23
$0.102
$0.089
$0.065
Envase tipo carrete
$0.047
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
6,859En existencias
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$0.26
$0.114
$0.099
$0.073
Envase tipo carrete
$0.052
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Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
3,621En existencias
Cinta cortada
$0.36
$0.159
$0.139
$0.103
Envase tipo carrete
$0.076
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: 3,000
Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V 410En existencias
3,000Se espera el 03/18/2027
Cinta cortada
$0.45
$0.198
$0.173
$0.129
Envase tipo carrete
$0.096
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V 3,590En existencias
Cinta cortada
$0.45
$0.198
$0.173
$0.129
Envase tipo carrete
$0.096
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 125 mOhms 20 V 2.2 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
2,615En existencias
129,000En pedido
Cinta cortada
$0.51
$0.226
$0.198
$0.148
Envase tipo carrete
$0.11
Ver
Min.: 1
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 17,183En existencias
Cinta cortada
$0.28
$0.125
$0.109
$0.08
Envase tipo carrete
$0.048
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
6,733En existencias
Cinta cortada
$0.83
$0.377
$0.332
$0.253
Envase tipo carrete
$0.194
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3A VDSS=20V 2,168En existencias
15,000Se espera el 11/06/2026
Cinta cortada
$0.62
$0.273
$0.239
$0.179
Envase tipo carrete
$0.106
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 51 mOhms 8 V 400 mV 2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
5,636En existencias
Cinta cortada
$0.56
$0.251
$0.22
$0.165
Envase tipo carrete
$0.124
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 280 mOhms 20 V 1.4 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 4,886En existencias
144,000Se espera el 11/13/2026
Cinta cortada
$0.23
$0.098
$0.086
$0.066
Envase tipo carrete
$0.041
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel