Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

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Resultados: 26

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: $3.96
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IRFP260MPBF

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942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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$3.96

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.89
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IRFS4127TRLPBF

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942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

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$4.89

$3.04

$2.39

$2.06

Envase tipo carrete

$1.79

$1.75

MouseReel Disponible

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: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

200 V

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- 20 V, 20 V

1.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V

IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $5.40
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Nuevo producto

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IRFB4332PBFXKMA1

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726-IRFB4332PBFXKMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4768PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFP4768PBFXKMA1

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726-IRFP4768PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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93 A

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+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4127PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFB4127PBFXKMA1

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726-IRFB4127PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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$3.55

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$2.16

$2.00

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
1: $2.00
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
36,816En existencias

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IRF640NPBF

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942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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200 V

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Enhancement

Tube

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IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFP4227PBFXKMA1

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726-IRFP4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

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IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFB4227PBFXKMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFB4229PBFXKMA1

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies
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IRFP4668PBFXKMA1

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
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7,542En existencias
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IRF640NSTRLPBF

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942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

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$0.591

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

200 V

18 A

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- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
1: $2.42
2,542En existencias
4,000Se espera el 12/10/2026

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IRF7820TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7820TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

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4,000Se espera el 12/10/2026

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$2.42

$1.47

$1.02

$0.83

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Envase tipo carrete

$0.712

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

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1 Channel

200 V

3.7 A

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- 20 V, 20 V

4 V

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+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: $2.95
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4,359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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4,359En existencias

$2.95

$1.82

$1.30

$0.843

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: $2.58
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3,482En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IRFB4020PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

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3,482En existencias

5,000Se espera el 08/18/2026

$2.58

$1.26

$1.06

$0.89

$0.785

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: $3.29
3,761En existencias
17,600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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3,761En existencias

17,600En pedido

$3.29

$2.07

$1.50

$1.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

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+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: $3.94
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
2,139En existencias
2,400Se espera el 09/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

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2,139En existencias

2,400Se espera el 09/07/2026

$3.94

$2.26

$1.84

$1.81

$1.42

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.72
7,630En existencias
15,000Se espera el 09/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFR4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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Hoja de datos

7,630En existencias

15,000Se espera el 09/10/2026

Cinta cortada

$2.72

$1.76

$1.16

$0.963

$0.894

Envase tipo carrete

$0.846

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: $4.24
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
483En existencias
2,400Se espera el 08/27/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

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483En existencias

2,400Se espera el 08/27/2026

Cinta cortada

$4.24

$2.80

$2.08

$1.66

Envase tipo carrete

$1.66

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.57
4,250En existencias
6,400Se espera el 08/28/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

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Hoja de datos

4,250En existencias

6,400Se espera el 08/28/2026

Cinta cortada

$4.57

$3.02

$2.13

$1.71

Envase tipo carrete

$1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.63
2,965En existencias
3,200Se espera el 02/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

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2,965En existencias

3,200Se espera el 02/04/2027

Cinta cortada

$4.63

$3.06

$2.16

$1.75

Envase tipo carrete

$1.75

$1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
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6,041En existencias
20,800Se espera el 02/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

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Hoja de datos

6,041En existencias

20,800Se espera el 02/04/2027

Cinta cortada

$3.47

$2.26

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$1.21

Envase tipo carrete

$1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: $3.22
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
3,125En existencias
2,400Se espera el 10/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

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Hoja de datos

3,125En existencias

2,400Se espera el 10/08/2026

$3.22

$1.79

$1.45

$1.16

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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.76
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
9,937En existencias
12,000Se espera el 01/28/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF5801TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

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Hoja de datos

9,937En existencias

12,000Se espera el 01/28/2027

Cinta cortada

$0.76

$0.469

$0.302

$0.23

Envase tipo carrete

$0.176

Ver

MouseReel Disponible

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

200 V

600 mA

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $5.88
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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Hoja de datos

544En existencias

$5.88

$3.41

$2.80

$2.41

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: $1.47
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
110En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

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110En existencias

$1.47

$0.728

$0.549

$0.444

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

9.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Tube

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

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