SuperFET® II Power MOSFETs

onsemi SuperFET® II Power MOSFETs are a high voltage MOSFET family utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology has been tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. SuperFET II MOSFETs are suitable for various AC-DC power conversion in switching mode operation for system miniaturization and high efficiency.

Resultados: 28
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Hoja de datos
5,930En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
Hoja de datos
1,475En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110mohm
Hoja de datos
779En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
Hoja de datos
1,292En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 126 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
4,955En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
971En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28.4 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
Hoja de datos
789En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
Hoja de datos
2,790En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 290 mOhm
Hoja de datos
708En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 44 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
385En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 212 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
715En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 23 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 600V Fast ver
Hoja de datos
791En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET
Hoja de datos
1,198En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.2 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
1,990En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
Hoja de datos
3,308En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
Hoja de datos
417En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 229 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET II UniFET FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V 400mohm
Hoja de datos
4,520En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
806En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 16.2 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET
Hoja de datos
889En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 128 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
Hoja de datos
409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
Hoja de datos
424En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
Hoja de datos
786En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement SuperFET II FRFET Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-CHAN MOSFET
Hoja de datos
1,727En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.6 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2, 190mohm
Hoja de datos
1,279En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.2 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 74 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement SuperFET II Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET
Hoja de datos
242En existencias
2,500Se espera el 07/29/2026
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement SuperFET II Reel, Cut Tape, MouseReel