MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
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PG-HDSOP-22
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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+ 175 C
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CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
1,111 En existencias
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PG-HDSOP-22-U03
1 Channel
1.2 kV
64 A
89 mOhms
- 10 V, + 25 C
5.1 V
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- 55 C
+ 175 C
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SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
1 Channel
1.2 kV
56 A
104 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
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- 55 C
+ 175 C
288 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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1 Channel
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31 A
205 mOhms
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- 55 C
+ 175 C
176 W
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CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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1.2 kV
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
IMSQ120R040M2HHXUMA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
480 En existencias
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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1.2 kV
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5.1 V
71 nC
- 55 C
+ 175 C
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CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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Through Hole
PG-TO247-4-U02
1 Channel
1.2 kV
38 A
69 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
182 W
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CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
163 En existencias
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1 Channel
1.2 kV
97 A
17 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
382 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
IMZC120R022M2HXKSA1
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726-IMZC120R022M2HXK
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
1,335 En existencias
1
$18.53
10
$12.76
100
$11.02
480
$10.27
1,200
$9.79
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
80 A
22 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
71 nC
- 55 C
+ 175 C
329 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
IMZC120R034M2HXKSA1
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Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
683 En existencias
240 Se espera el 10/19/2026
1
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10
$6.93
100
$6.56
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
55 A
- 10 V, + 25 V
5.1 V
45 nC
- 55 C
+ 175 C
244 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
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632 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R053M2HXK
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
632 En existencias
1
$10.16
10
$5.49
100
$5.07
480
$4.98
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
38 A
53 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
182 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
IMBG120R008M2HXTMA1
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1:
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726-IMBG120R008M2HXT
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
740 En existencias
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1
$36.41
10
$27.08
100
$27.07
500
$25.65
1,000
$25.65
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SMD/SMT
TO-263-7
1 Channel
1.2 kV
189 A
7.7 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
195 nC
- 55 C
+ 175 C
800 W
Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
$9.46
316 En existencias
750 Se espera el 11/05/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R053M2HXT
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
316 En existencias
750 Se espera el 11/05/2026
1
$9.46
10
$5.19
100
$4.80
500
$4.53
750
$4.53
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
750
Detalles
SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
1 Channel
1.2 kV
43 A
138 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
32.8 nC
- 55 C
+ 175 C
234 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
$20.54
24 En existencias
480 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R017M2HXK
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
24 En existencias
480 En pedido
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24 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
240 Se espera el 10/29/2026
240 Se espera el 11/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
60 Semanas
1
$20.54
10
$13.85
100
$12.35
480
$12.09
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
PG-TO247-4-U02
1 Channel
1.2 kV
97 A
23 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
382 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
$14.94
132 En existencias
240 Se espera el 10/29/2026
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N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R026M2HXK
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
132 En existencias
240 Se espera el 10/29/2026
1
$14.94
10
$8.41
480
$8.25
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
PG-TO247-4-U02
1 Channel
1.2 kV
69 A
34 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
289 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
$12.54
78 En existencias
240 Se espera el 10/29/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R034M2HXK
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
78 En existencias
240 Se espera el 10/29/2026
1
$12.54
10
$6.93
480
$6.56
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
PG-TO247-4-U02
1 Channel
1.2 kV
55 A
45 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
45 nC
- 55 C
+ 175 C
244 W
Enhancement
CoolSiC