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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,346En existencias
$12.99
$7.20
$6.87
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,029En existencias
Cinta cortada
$9.02
$4.93
$4.53
$4.50
Envase tipo carrete
$4.25
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms 20 V 1.7 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
323En existencias
$10.37
$6.93
$6.41
$6.32
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
6,560En existencias
Cinta cortada
$3.33
$1.76
$1.42
$1.22
$1.20
Envase tipo carrete
$1.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
808En existencias
$5.69
$3.52
$3.09
$2.83
$2.82
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,280En existencias
Cinta cortada
$4.04
$2.34
$1.84
$1.57
$1.51
Envase tipo carrete
$1.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 185 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
850En existencias
$3.90
$1.98
$1.79
$1.45
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
583En existencias
$5.49
$2.86
$2.61
$2.19
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
375En existencias
$6.59
$3.49
$3.20
$2.80
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,986En existencias
$5.46
$2.85
$2.60
$2.18
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,271En existencias
Cinta cortada
$6.61
$3.51
$3.21
$2.98
Envase tipo carrete
$2.81
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,678En existencias
Cinta cortada
$3.99
$2.61
$1.90
$1.63
Envase tipo carrete
$1.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,110En existencias
Cinta cortada
$11.63
$6.91
$6.75
Envase tipo carrete
$6.38
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,712En existencias
Cinta cortada
$6.67
$3.54
$3.19
$2.89
Envase tipo carrete
$2.85
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 83 A 104 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 122 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
661En existencias
720Se espera el 11/05/2026
$22.01
$13.58
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
684En existencias
$9.12
$5.29
$4.88
$4.87
$4.76
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
221En existencias
$6.27
$3.23
$2.95
$2.59
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
180En existencias
$9.05
$4.95
$4.55
$4.28
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
439En existencias
$3.88
$1.96
$1.87
$1.44
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 346 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
293En existencias
$7.14
$3.72
$3.42
$3.12
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
27En existencias
240Se espera el 10/15/2026
$4.95
$2.54
$2.18
$1.89
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
25En existencias
$8.01
$4.24
$3.90
$3.40
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
304En existencias
$8.98
$4.90
$4.51
$4.23
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
5En existencias
Cinta cortada
$9.18
$5.07
$4.66
$4.60
$4.11
Envase tipo carrete
$4.11
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 65 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 40 C + 150 C 180 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
479Se espera el 10/14/2026
$22.56
$14.14
$14.11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube