|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R040C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.99
-
2,656En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,656En existencias
|
|
|
$12.99
|
|
|
$7.82
|
|
|
$6.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
50 A
|
34 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
107 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD60R180C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.47
-
7,116En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
7,116En existencias
|
|
|
$3.47
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13 A
|
180 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.95
-
2,630En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,630En existencias
|
|
|
$3.95
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13 A
|
185 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
24 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
77 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.70
-
808En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
808En existencias
|
|
|
$5.70
|
|
|
$3.83
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
22 A
|
85 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.59
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
375En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
375En existencias
|
|
|
$6.59
|
|
|
$3.49
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.77
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FP-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
12 A
|
190 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
33 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R120C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.46
-
1,990En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,990En existencias
|
|
|
$5.46
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
11 A
|
120 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
32 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R060C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.02
-
1,029En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R060C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,029En existencias
|
|
|
$9.02
|
|
|
$6.15
|
|
|
$4.53
|
|
|
$4.50
|
|
|
$4.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
35 A
|
60 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.7 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
162 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R099C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.61
-
1,291En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,291En existencias
|
|
|
$6.61
|
|
|
$4.44
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
22 A
|
99 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R180C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.99
-
1,682En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,682En existencias
|
|
|
$3.99
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13 A
|
180 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R040C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.31
-
334En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
334En existencias
|
|
|
$12.31
|
|
|
$6.93
|
|
|
$6.41
|
|
|
$6.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
50 A
|
40 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
107 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R120C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.27
-
221En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
221En existencias
|
|
|
$6.27
|
|
|
$3.55
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
19 A
|
120 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
92 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R040C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.27
-
330En existencias
-
1,000Se espera el 09/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
330En existencias
1,000Se espera el 09/10/2026
|
|
|
$12.27
|
|
|
$8.52
|
|
|
$6.75
|
|
|
$6.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
50 A
|
40 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
107 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R104C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.67
-
2,712En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R104C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,712En existencias
|
|
|
$6.67
|
|
|
$4.48
|
|
|
$3.58
|
|
|
$3.19
|
|
|
$3.08
|
|
|
$2.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
83 A
|
104 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
42 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
122 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R060C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.98
-
436En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
436En existencias
|
|
|
$8.98
|
|
|
$4.90
|
|
|
$4.51
|
|
|
$4.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
35 A
|
60 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
162 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R017C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$22.81
-
248En existencias
-
960Se espera el 09/23/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
248En existencias
960Se espera el 09/23/2026
|
|
|
$22.81
|
|
|
$15.90
|
|
|
$13.79
|
|
|
$13.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
109 A
|
17 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
240 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
446 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R060C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.82
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
710En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
710En existencias
|
|
|
$9.82
|
|
|
$5.77
|
|
|
$4.88
|
|
|
$4.87
|
|
|
$4.70
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
35 A
|
52 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
162 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZ60R040C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.45
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
240En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R040C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
240En existencias
|
|
|
$13.45
|
|
|
$8.20
|
|
|
$7.18
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
50 A
|
40 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
107 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R060C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.05
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
192En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
192En existencias
|
|
|
$9.05
|
|
|
$4.95
|
|
|
$4.55
|
|
|
$4.23
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
16 A
|
115 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R180C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.88
-
648En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
648En existencias
|
|
|
$3.88
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9 A
|
346 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
29 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.14
-
153En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
153En existencias
|
|
|
$7.14
|
|
|
$4.09
|
|
|
$3.42
|
|
|
$3.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
22 A
|
85 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R180C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.95
-
177En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
177En existencias
|
|
|
$4.95
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13 A
|
180 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R065C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.95
-
5En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
5En existencias
|
|
|
$8.95
|
|
|
$6.21
|
|
|
$4.83
|
|
|
$4.48
|
|
|
$4.06
|
|
|
$4.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
29 A
|
65 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
68 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
180 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R120C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.49
-
583En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
583En existencias
|
|
|
$5.49
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.61
|
|
|
$2.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
19 A
|
120 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
92 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R180C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.90
-
860En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
860En existencias
|
|
|
$3.90
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
13 A
|
155 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZ60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.62
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
25En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099C7XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
25En existencias
|
|
|
$7.62
|
|
|
$4.39
|
|
|
$3.68
|
|
|
$3.36
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
22 A
|
99 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|