Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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Resultados: 113

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel TK6P65W,RQ Toshiba 1: $1.90 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 7,454En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK6P65W,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK6P65WRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	7,454En existencias	Cinta cortada $1.90 $0.909 $0.812 $0.641 Envase tipo carrete $0.572 Ver $0.603 $0.517 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	5.8 A	890 mOhms	30 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W TK12A80W,S4X Toshiba 1: $4.90 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 2,141En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK12A80W,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK12A80WS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	2,141En existencias	$4.90 $2.53 $2.19 $1.92 $1.88 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11.5 A	380 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel TK8A60W5,S5VX Toshiba 1: $2.91 151En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK8A60W5,S5VX N.º de artículo de Mouser 757-TK8A60W5S5VX	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	151En existencias	$2.91 $1.69 $1.29 $1.01 Ver $0.981 $0.962 $0.902	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	440 mOhms	30 V	3 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF TK31N60W,S1VF Toshiba 1: $7.82 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 55En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK31N60W,S1VF N.º de artículo de Mouser 757-TK31N60WS1VF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	55En existencias	$7.82 $5.23 $4.20 $3.73 $3.35 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30.8 A	73 mOhms	30 V	3.7 V	86 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS TK14A65W5,S5X Toshiba 1: $4.62 16En existencias 100Se espera el 02/19/2027	N.º de artículo del Fabricante TK14A65W5,S5X N.º de artículo de Mouser 757-TK14A65W5S5X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	16En existencias 100Se espera el 02/19/2027	$4.62 $3.03 $2.06 $1.76 $1.65	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13.7 A	250 mOhms	30 V	4.5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel TK17N65W,S1F Toshiba 1: $5.21 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 34En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK17N65W,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK17N65WS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	34En existencias	$5.21 $3.41 $2.54 $2.13 Ver $1.98 $1.85 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	17.3 A	170 mOhms	30 V	2.5 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	165 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS TK35N65W,S1F Toshiba 1: $10.28 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 6En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK35N65W,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK35N65WS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	6En existencias	$10.28 $5.76 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	68 mOhms	30 V	3.5 V	100 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel TK8P60W5,RVQ Toshiba 1: $2.38 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 1,611En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK8P60W5,RVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK8P60W5RVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	1,611En existencias	Cinta cortada $2.38 $1.16 $1.04 $0.827 $0.783 Envase tipo carrete $0.704 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	440 mOhms	30 V	3 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ TK8P65W,RQ Toshiba 1: $2.85 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 1,788En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK8P65W,RQ N.º de artículo de Mouser 757-TK8P65WRQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	1,788En existencias	Cinta cortada $2.85 $1.41 $1.27 $1.02 $0.954 Envase tipo carrete $0.902 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	7.8 A	670 mOhms	30 V	2.5 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel TK20V60W5,LVQ Toshiba 1: $4.44 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 2,200En existencias 2,500Se espera el 11/16/2026	N.º de artículo del Fabricante TK20V60W5,LVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK20V60W5LVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	2,200En existencias 2,500Se espera el 11/16/2026	Cinta cortada $4.44 $2.34 $2.13 $1.79 $1.69 Envase tipo carrete $1.59 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	156 mOhms	30 V	3 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ TK16V60W5,LVQ Toshiba 1: $4.31 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 2,487En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16V60W5,LVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16V60W5LVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	2,487En existencias	Cinta cortada $4.31 $2.25 Envase tipo carrete $1.58 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	245 mOhms	30 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ TK16G60W5,RVQ Toshiba 1: $4.23 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 966En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK16G60W5,RVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK16G60W5RVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba tk16x60w mosfets	Hoja de datos	966En existencias	Cinta cortada $4.23 $2.16 $1.96 $1.67 Envase tipo carrete $1.54 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	15.8 A	230 mOhms	30 V	3 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=297W F=1MHZ TK040N60Z1,S1F Toshiba 1: $11.70 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 363En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK040N60Z1,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK040N60Z1S1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=297W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	363En existencias	$11.70 $8.46 $7.05 $6.28 $5.87 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	40 mOhms	30 V	4 V	85 nC		+ 150 C	297 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=211W F=1MHZ TK080N60Z1,S1F Toshiba 1: $7.86 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 149En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK080N60Z1,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK080N60Z1S1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=211W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	149En existencias	$7.86 $5.26 $4.23 $3.76 $3.33 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	80 mOhms	30 V	4 V	43 nC		+ 150 C	211 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=150W F=1MHZ TK125N60Z1,S1F Toshiba 1: $6.54 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 75En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK125N60Z1,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK125N60Z1S1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-247 PD=150W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	75En existencias	$6.54 $4.29 $3.15 $2.80 $2.49 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	125 mOhms	30 V	4 V	28 nC		+ 150 C	150 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A TK31V60W5,LVQ Toshiba 1: $7.15 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 1,931En existencias 5,000Se espera el 01/15/2027	N.º de artículo del Fabricante TK31V60W5,LVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK31V60W5LVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	1,931En existencias 5,000Se espera el 01/15/2027	Cinta cortada $7.15 $4.78 $3.84 $3.42 $3.03 Envase tipo carrete $3.03 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DFN8x8-5	N-Channel	1 Channel	600 V	30.8 A	87 mOhms	30 V	3 V	105 nC		+ 150 C	240 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel TK39N60W5,S1VF Toshiba 1: $9.39 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 4,086En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK39N60W5,S1VF N.º de artículo de Mouser 757-TK39N60W5S1VF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	4,086En existencias	$9.39 $6.85 $6.51 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	38.8 A	62 mOhms	30 V	3 V	135 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC TK6P60W,RVQ Toshiba 1: $2.09 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 4,513En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK6P60W,RVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK6P60WRVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	4,513En existencias	Cinta cortada $2.09 $1.34 $0.90 $0.855 Envase tipo carrete $0.855 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	6.2 A	820 mOhms	30 V	2.7 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF TK100L60W,VQ Toshiba 1: $28.87 40En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK100L60W,VQ N.º de artículo de Mouser 757-TK100L60WVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	40En existencias	$28.87 $21.05 $19.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	100 A	15 mOhms	30 V	3.7 V	360 nC	- 55 C	+ 150 C	797 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel TK10A60W5,S5VX Toshiba 1: $3.19 187En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK10A60W5,S5VX N.º de artículo de Mouser 757-TK10A60W5S5VX	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	187En existencias	$3.19 $1.59 $1.46 $1.13 $1.04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9.7 A	350 mOhms	30 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC TK10A60W,S4VX Toshiba 1: $3.31 195En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK10A60W,S4VX N.º de artículo de Mouser 757-TK10A60WS4VX	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	195En existencias	$3.31 $1.66 $1.48 $1.20 $1.10	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9.7 A	327 mOhms	30 V	3.7 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W TK10A80W,S4X Toshiba 1: $4.47 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 122En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK10A80W,S4X N.º de artículo de Mouser 757-TK10A80WS4X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	122En existencias	$4.47 $2.74 $2.26 $1.70 $1.66 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	9.5 A	460 mOhms	20 V	3 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC TK10P60W,RVQ Toshiba 1: $2.74 Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos. 325En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK10P60W,RVQ N.º de artículo de Mouser 757-TK10P60WRVQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	325En existencias	Cinta cortada $2.74 $1.35 $1.21 $1.14 Envase tipo carrete $1.14 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9.7 A	380 mOhms	30 V	3.7 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	80 W	Enhancement	DTMOSIV	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ TK110Z65Z,S1F Toshiba 1: $12.46 40En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK110Z65Z,S1F N.º de artículo de Mouser 757-TK110Z65ZS1F	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ Obtenga más información sobre Toshiba tk110z65z dtmosiv mosfet	Hoja de datos	40En existencias	$12.46 $7.03 $6.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	110 mOhms	10 V	3 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS TK11A65W,S5X Toshiba 1: $2.94 174En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK11A65W,S5X N.º de artículo de Mouser 757-TK11A65WS5X	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS Obtenga más información sobre Toshiba dtmos iv	Hoja de datos	174En existencias	$2.94 $1.46 $1.34 $1.02 Ver $0.995 $0.974 $0.942	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11.1 A	330 mOhms	30 V	3.5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	DTMOSIV	Tube