Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 182

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $12.99 2,276En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R040C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R040C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	2,276En existencias	$12.99 $7.20 $6.87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	34 mOhms	20 V	3 V	107 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $10.73 12,646En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,646En existencias	$10.73 $5.53 $5.28	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPA60R120C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.46 1,984En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R120C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R120C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1,984En existencias	$5.46 $2.85 $2.59 $2.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	120 mOhms	20 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.37 3,700En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,700En existencias	Cinta cortada $3.37 $1.69 $1.52 $1.23 $1.20 Envase tipo carrete $1.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD60R180C7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.33 6,541En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R180C7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R180C7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	6,541En existencias	Cinta cortada $3.33 $1.76 $1.42 $1.22 $1.20 Envase tipo carrete $1.20	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	180 mOhms	20 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	68 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.71 2,138En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD65R190C7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R190C7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	2,138En existencias	Cinta cortada $3.71 $1.89 $1.71 $1.31 Envase tipo carrete $1.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $12.22 934En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA65R045C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R045C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	934En existencias	$12.22 $8.81 $7.37 $6.34 $6.21	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	40 mOhms	20 V	3 V	93 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R065C7 Infineon Technologies 1: $9.08 365En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R065C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R065C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	365En existencias	$9.08 $6.39 $5.17 $4.59 $4.07	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 IPP65R045C7 Infineon Technologies 1: $12.19 713En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R045C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R045C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	713En existencias	$12.19 $8.82 $7.35 $6.54 $6.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	46 A	40 mOhms	20 V	3 V	93 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $8.07 3,413En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,413En existencias	Cinta cortada $8.07 $4.38 $4.02 $3.91 $3.69 Envase tipo carrete $3.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.69 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 802En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R099C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R099C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	802En existencias	$5.69 $3.52 $3.21 $2.91 $2.82 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	85 mOhms	20 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.79 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 8,650En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8,650En existencias	Cinta cortada $1.79 $0.851 $0.759 $0.598 Envase tipo carrete $0.486 Ver $0.554 $0.475 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R104C7AUMA1 Infineon Technologies 1: $6.81 2,712En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R104C7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R104C7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	2,712En existencias	Cinta cortada $6.81 $3.61 $3.54 $3.19 $2.95 Envase tipo carrete $2.82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	83 A	104 mOhms	20 V	3.5 V	42 nC	- 40 C	+ 150 C	122 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $3.58 3,336En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185CFD7AUM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	3,336En existencias	Cinta cortada $3.58 $1.94 $1.61 $1.40 $1.35 Envase tipo carrete $1.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	153 mOhms	20 V	3.5 V	28 nC	- 40 C	+ 150 C	85 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R040CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: $10.54 695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R040CFD7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R040CFD7XKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon cfd7 mosfets	Hoja de datos	695En existencias	$10.54 $5.72 $5.23 $5.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	50 A	40 mOhms	20 V	3.5 V	109 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $7.06 3,408En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,408En existencias	$7.06 $3.68 $3.37 $3.07	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185C7AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.05 2,280En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185C7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185C7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	2,280En existencias	Cinta cortada $4.05 $2.38 $1.84 $1.60 $1.51 Envase tipo carrete $1.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	185 mOhms	20 V	3 V	24 nC	- 40 C	+ 150 C	77 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $22.56 479En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZ60R017C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZ60R017C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	479En existencias	$22.56 $14.14 $13.92	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	600 V	109 A	17 mOhms	20 V	3 V	240 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $1.71 4,850En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,850En existencias	$1.71 $0.809 $0.721 $0.574 Ver $0.458 $0.455	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	30 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.39 9,128En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	9,128En existencias	Cinta cortada $1.39 $0.652 $0.58 $0.452 Envase tipo carrete $0.362 Ver $0.441 $0.336	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.17 4,438En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,438En existencias	Cinta cortada $2.17 $1.05 $0.937 $0.745 $0.691 Envase tipo carrete $0.62	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R900P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.01 7,416En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R900P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,416En existencias	Cinta cortada $2.01 $0.966 $0.863 $0.684 $0.652 Envase tipo carrete $0.559	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $3.29 3,631En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R185P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R185P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,631En existencias	Cinta cortada $3.29 $1.64 $1.48 $1.20 $1.18 Envase tipo carrete $1.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	19 A	149 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 40 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.16 2,661En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL65R195C7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R195C7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	2,661En existencias	Cinta cortada $4.16 $2.12 $1.92 $1.60 Envase tipo carrete $1.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	12 A	173 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 IPL65R230C7 Infineon Technologies 1: $3.56 6,299En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL65R230C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R230C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	6,299En existencias	Cinta cortada $3.56 $1.79 $1.57 $1.31 $1.28 Envase tipo carrete $1.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	230 mOhms	20 V	4 V	20 nC	- 40 C	+ 150 C	67 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel