CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

Resultados: 188
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,670En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
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544En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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652En existencias
500Se espera el 09/08/2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,575En existencias
MouseReel Disponible
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW
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1,097En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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681En existencias
720Se espera el 11/26/2026
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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707En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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684En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,929En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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3,510En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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648En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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582En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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519En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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858En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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261En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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192En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 346 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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338En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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543En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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69En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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463En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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355En existencias
500Se espera el 09/17/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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2,927En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1,079En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1,499En existencias
2,500Se espera el 09/17/2026
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape