HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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2,309En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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320En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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783En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si SMD/SMT
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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789En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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220En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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1,327En existencias
1,800Se espera el 04/30/2027
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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3,517En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Hoja de datos
742En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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238En existencias
1,000Se espera el 09/11/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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246En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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1,050En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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193En existencias
1,200En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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493En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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521En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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464En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
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42En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Hoja de datos
1,200Se espera el 04/30/2027
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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280En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
600Se espera el 07/21/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Hoja de datos
600Se espera el 08/31/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
1,200Se espera el 10/02/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
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Plazo de entrega 14 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3