Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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$4.49

$2.76

$2.10

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Envase tipo carrete

$1.67

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N10S5N029AUMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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$4.25

$2.65

$1.97

$1.65

Envase tipo carrete

$1.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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$4.15

$2.73

$1.92

$1.72

$1.63

Envase tipo carrete

$1.49

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

67 nC

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166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IAUS240N08S5N019ATMA1
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Infineon Technologies

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$5.27

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$2.20

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$2.06

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

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230 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
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$4.04

$2.48

$1.86

$1.54

Envase tipo carrete

$1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

IAUCN10S5L110TATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN10S5L110TATMA1

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Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

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$2.80

$1.80

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$1.04

Envase tipo carrete

$0.816

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

100 V

61 A

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2.2 V

20 nC

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+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

IAUCN08S5L160TATMA1
Infineon Technologies
1: $2.15
1,400En existencias
Nuevo producto

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IAUCN08S5L160TATMA1

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726-IAUCN08S5L160TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

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Cinta cortada

$2.15

$1.36

$0.917

$0.743

Envase tipo carrete

$0.589

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

15.8 mOhms

20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1: $6.26
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IAUMN08S5N012GAUMA1

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726-IAUMN08S5N012GAU

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$3.02

$2.77

$2.59

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$2.59

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PG-HSOG-4-1

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149 nC

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+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN10S5L094DATMA1
Infineon Technologies
1: $3.20
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IAUCN10S5L094DATMA1

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726-IAUCN10S5L094DAT

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$2.08

$1.44

$1.17

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$1.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IAUCN10S5L280DATMA1
Infineon Technologies
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3,925En existencias

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IAUCN10S5L280DATMA1

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726-IAUCN10S5L280DAT

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$2.24

$1.43

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$0.771

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Min.: 1
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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: $5.98
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IAUMN08S5N013GAUMA1

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726-IAUMN08S5N013GAU

Infineon Technologies

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$2.75

$2.66

Envase tipo carrete

$2.43

Min.: 1
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PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN10S5N016GAUMA1
Infineon Technologies
1: $6.59
2,670En existencias
6,000Se espera el 10/01/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN10S5N016GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN10S5N016GAU

Infineon Technologies

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$6.59

$4.42

$3.19

$3.13

$3.02

Envase tipo carrete

$2.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

100 V

310 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUTN08S5N012LATMA1
Infineon Technologies
1: $6.71
2,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN08S5N012LATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN08S5N012LAT

Infineon Technologies

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$6.71

$4.51

$3.26

$3.04

$2.93

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$2.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-2

N-Channel

2 Channel

80 V

410 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N011TATMA1
Infineon Technologies
1: $7.53
6,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N011TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AUS300N08S5N011T

Infineon Technologies

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$7.53

$5.09

$3.71

$3.55

$3.31

Envase tipo carrete

$3.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-2

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.38
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N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5L040

Infineon Technologies

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20,772En existencias

15,000Se espera el 02/18/2027

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$3.38

$2.20

$1.53

$1.24

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Envase tipo carrete

$1.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: $6.65
7,673En existencias
58,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

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7,673En existencias

58,000En pedido

Cinta cortada

$6.65

$4.38

$3.21

$2.87

$2.81

Envase tipo carrete

$2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.48
36,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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36,126En existencias

Cinta cortada

$6.48

$4.35

$3.14

$2.90

$2.73

Envase tipo carrete

$2.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N10S5N015TATMA1
Infineon Technologies
1: $7.22
5,525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N015TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N10S5N015T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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5,525En existencias

Cinta cortada

$7.22

$4.87

$3.53

$3.35

$3.13

Envase tipo carrete

$3.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA170N10S5N031AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.11
3,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA170N10S5N031AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA170N10S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3,771En existencias

Cinta cortada

$4.11

$2.70

$1.89

$1.57

Envase tipo carrete

$1.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N08S5N026AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.82
3,491En existencias
4,000Se espera el 08/24/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N08S5N026AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA180N08S5N026

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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3,491En existencias

4,000Se espera el 08/24/2026

Cinta cortada

$3.82

$2.50

$1.75

$1.43

Envase tipo carrete

$1.38

$1.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA210N10S5N024AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.71
2,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA210N10S5N024AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA210N10S5N024

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

2,706En existencias

Cinta cortada

$4.71

$3.11

$2.20

$1.89

Envase tipo carrete

$1.86

$1.76

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

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210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

91 nC

- 55 C

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1 Channel

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100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

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+ 175 C

125 W

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TDSON-8

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1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

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115 W

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HSOG-8

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300 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

231 nC

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375 W

Enhancement

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

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Soporte

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20 A
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28 A
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40 A
42 A
50 A
61 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A
240 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
15 nC
17 nC
20 nC
22 nC
30 nC
36 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
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90 nC
91 nC
96 nC
110 nC

30 W
38 W
45.5 W
60 W
68 W
83 W
88 W
115 W
125 W
166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W
238 W
300 W
307 W