Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5

IAUT300N08S5N011ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.92
1,842En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N011ATMA1

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726-IAUT300N08S5N011

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.10m max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS 5

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Cinta cortada

$6.92

$3.67

$3.35

$2.93

$2.82

Envase tipo carrete

$2.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-8-1

N-Channel

1 Channel

80 V

410 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
1: $6.23
5,342En existencias
58,000Se espera el 07/22/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N012ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N012

Infineon Technologies

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58,000Se espera el 07/22/2027

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$6.23

$3.29

$3.00

$2.76

$2.61

Envase tipo carrete

$2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

231 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.48
15,979En existencias

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IAUZ30N10S5L240ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ30N10S5L240A

Infineon Technologies

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$1.48

$0.693

$0.617

$0.482

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Envase tipo carrete

$0.364

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

45.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ40N10S5L120ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.85
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IAUZ40N10S5L120ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N10S5L120A

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Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

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IAUZ40N10S5N130ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.85
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IAUZ40N10S5N130ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N10S5N130A

Infineon Technologies

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$0.881

$0.787

$0.621

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$0.497

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Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IAUS260N10S5N019TATMA1
Infineon Technologies
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IAUS260N10S5N019TATMA1

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726-US260N10S5N019T1

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$3.10

$2.86

$2.70

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$2.70

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SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

250 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IAUS300N08S5N012TATMA1
Infineon Technologies
1: $7.19
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IAUS300N08S5N012TATMA1

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$3.33

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$3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16-2

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
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IAUS300N08S5N014TATMA1

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726-US300N08S5N014T1

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$3.52

$3.22

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$2.83

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HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

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144 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IAUS300N10S5N015TATMA1
Infineon Technologies
1: $7.39
308En existencias
9,000Se espera el 11/19/2026

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IAUS300N10S5N015TATMA1

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726-US300N10S5N015T1

Infineon Technologies

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$3.70

$3.44

$3.16

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$3.16

Min.: 1
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: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA220N08S5N021AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.39
568En existencias

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IAUA220N08S5N021AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA220N08S5N021

Infineon Technologies

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568En existencias

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$4.39

$2.29

$2.08

$1.76

$1.70

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$1.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA250N08S5N018AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.60
84En existencias
2,000Se espera el 09/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N08S5N018AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N08S5N018

Infineon Technologies

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2,000Se espera el 09/10/2026

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$4.60

$2.36

$1.98

$1.84

Envase tipo carrete

$1.73

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

250 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC24N10S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.57
91En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC24N10S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC24N10S5L300A

Infineon Technologies

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91En existencias

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Cinta cortada

$1.57

$0.765

$0.578

$0.464

$0.441

Envase tipo carrete

$0.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

24 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

7.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IAUC60N10S5L110ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.30
415En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N10S5L110ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N10S5L110A

Infineon Technologies

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415En existencias

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$2.30

$1.45

$0.95

$0.754

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Envase tipo carrete

$0.567

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

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IAUC90N10S5N062ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.74
3,895En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC90N10S5N062ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A

Infineon Technologies

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3,895En existencias

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$2.74

$1.58

$1.20

$0.992

Ver

Envase tipo carrete

$0.829

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: $6.38
18En existencias
4,000Se espera el 10/15/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N013GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N013GAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

18En existencias

4,000Se espera el 10/15/2026

Cinta cortada

$6.38

$3.81

$3.07

$2.76

$2.58

Envase tipo carrete

$2.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.31
344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS165N08S5N029ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

344En existencias

Cinta cortada

$4.31

$2.20

$2.00

$1.68

$1.58

Envase tipo carrete

$1.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.81
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

778En existencias

Cinta cortada

$4.81

$2.48

$2.25

$2.10

$1.83

Envase tipo carrete

$1.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(

IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.04
832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT165N08S5N029ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT165N08S5N029

Infineon Technologies

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Hoja de datos

832En existencias

Cinta cortada

$4.04

$2.05

$1.86

$1.54

Envase tipo carrete

$1.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.26
56En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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56En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

$6.26

$3.96

$3.02

$2.92

$2.76

Envase tipo carrete

$2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.32
8,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

8,737En existencias

Cinta cortada

$1.32

$0.616

$0.546

$0.425

Envase tipo carrete

$0.316

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N08S5N186ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.42
2,395En existencias
5,000Se espera el 09/21/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ30N08S5N186ATMA1

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726-IAUZ30N08S5N186A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

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Empresa

Recursos

Soporte

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20 A
24 A
28 A
30 A
40 A
42 A
50 A
61 A
64 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
14.3 nC
15 nC
17 nC
18.6 nC
20 nC
22 nC
28 nC
30 nC
36 nC
49 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
81 nC

30 W
38 W
45.5 W
56 W
60 W
68 W
75 W
83 W
88 W
100 W
115 W
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166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W