Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R140CP
Infineon Technologies
1:
$5.49
1,767 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CP
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
1,767 En existencias
Embalaje alternativo
1
$5.49
10
$3.60
100
$2.68
500
$2.25
1,000
$2.08
2,000
$1.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
23 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.44
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
17,500 En existencias
2,500 Se espera el 07/29/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
17,500 En existencias
2,500 Se espera el 07/29/2026
1
$1.44
10
$0.907
100
$0.60
500
$0.469
2,500
$0.357
5,000
Ver
1,000
$0.426
5,000
$0.351
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
7.6 A
500 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
18.7 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.31
2,175 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
2,175 En existencias
1
$2.31
10
$1.48
100
$1.01
500
$0.818
1,000
$0.742
2,500
$0.674
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
9 A
399 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R800CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.35
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
6,862 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R800CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
6,862 En existencias
1
$1.35
10
$0.834
100
$0.549
500
$0.429
1,000
$0.377
2,500
$0.294
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
8.4 A
800 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
17.2 nC
- 40 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R099CP
Infineon Technologies
1:
$8.19
1,030 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
1,030 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.19
10
$5.77
100
$4.67
500
$4.15
1,000
$3.71
2,000
Ver
2,000
$3.70
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.63
8,652 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
8,652 En existencias
1
$1.63
10
$1.04
100
$0.689
500
$0.592
1,000
$0.522
2,500
$0.419
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
1.9 A
2.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R199CP
Infineon Technologies
1:
$4.64
891 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CP
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
891 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.64
10
$2.91
100
$2.27
500
$1.93
1,000
$1.73
2,000
Ver
2,000
$1.66
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R199CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.33
1,957 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CPATMA1
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
1,957 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.33
10
$2.86
100
$2.02
500
$1.86
1,000
$1.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R165CP
Infineon Technologies
1:
$5.43
2,328 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CP
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
2,328 En existencias
Embalaje alternativo
1
$5.43
10
$3.56
100
$2.65
500
$2.22
1,000
$2.03
2,000
Ver
2,000
$1.95
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.23
2,101 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K0CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
2,101 En existencias
1
$2.23
10
$1.43
100
$0.964
500
$0.767
1,000
$0.703
2,500
$0.642
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
5.7 A
950 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$0.97
4,487 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,487 En existencias
1
$0.97
10
$0.607
100
$0.395
500
$0.303
2,500
$0.233
5,000
Ver
1,000
$0.274
5,000
$0.211
10,000
$0.204
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
6.6 A
2.25 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
10.5 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R099CP
Infineon Technologies
1:
$8.19
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
325 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
325 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.19
10
$5.77
100
$4.76
500
$4.03
1,000
$3.71
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW60R075CP
Infineon Technologies
1:
$11.08
241 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
241 En existencias
Embalaje alternativo
1
$11.08
10
$7.83
100
$6.53
480
$5.81
1,200
Ver
1,200
$5.50
10,080
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
39 A
68 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
116 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.14
15,656 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CPATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
15,656 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.14
10
$2.70
100
$1.97
500
$1.71
1,000
$1.45
2,000
$1.43
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
17 A
180 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.77
4,025 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,025 En existencias
1
$1.77
10
$1.12
100
$0.739
500
$0.587
2,500
$0.455
5,000
Ver
1,000
$0.536
5,000
$0.451
10,000
$0.447
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
14.7 A
400 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32 nC
- 40 C
+ 150 C
112 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
+1 imagen
IPW60R045CPFKSA1
Infineon Technologies
1:
$18.73
3,882 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPFKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
3,882 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
60 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
190 nC
- 55 C
+ 150 C
431 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$2.31
12,973 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12,973 En existencias
1
$2.31
10
$1.45
100
$0.953
500
$0.756
2,500
$0.587
5,000
Ver
1,000
$0.692
5,000
$0.576
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
18.1 A
280 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32.6 nC
- 55 C
+ 150 C
119 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
IPL60R385CP
Infineon Technologies
1:
$3.49
1,484 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
1,484 En existencias
1
$3.49
10
$3.02
100
$2.08
500
$1.74
1,000
$1.61
3,000
$1.01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
27 A
385 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
17 nC
- 40 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
$1.34
1,509 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1,509 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.34
10
$0.625
100
$0.555
500
$0.487
1,000
Ver
1,000
$0.416
2,500
$0.352
5,000
$0.318
10,000
$0.317
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
7.6 A
720 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
12.4 nC
- 40 C
+ 150 C
26.4 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
$1.31
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
996 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
996 En existencias
1
$1.31
10
$0.612
100
$0.543
500
$0.474
1,000
Ver
1,000
$0.35
2,500
$0.343
5,000
$0.31
10,000
$0.309
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
550 V
6.6 A
2.22 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
10.5 nC
- 40 C
+ 150 C
25.7 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
IPA60R199CP
Infineon Technologies
1:
$4.62
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
209 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
209 En existencias
1
$4.62
10
$2.37
100
$2.16
500
$1.76
1,000
$1.74
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
16 A
199 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
$2.62
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
648 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K0CEXKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
648 En existencias
1
$2.62
10
$1.50
100
$1.15
500
$0.964
1,000
$0.777
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
5.7 A
2.19 Ohms
- 20 V, 20 V
3 V
31 nC
- 40 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.18
995 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
995 En existencias
Embalaje alternativo
1
$8.18
10
$5.76
100
$4.66
500
$4.14
1,000
$3.67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
31 A
90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
80 nC
- 40 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.08
7,500 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
7,500 En existencias
1
$1.08
10
$0.664
100
$0.436
500
$0.343
2,500
$0.259
5,000
Ver
1,000
$0.306
5,000
$0.237
10,000
$0.223
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6.8 A
1 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
13 nC
- 40 C
+ 150 C
61 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2
IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.06
5,288 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2
5,288 En existencias
1
$3.06
10
$1.98
100
$1.37
500
$1.11
1,000
$1.05
2,500
$0.994
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
350 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel