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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
Hoja de datos
1,318En existencias
Cinta cortada
$2.94
$1.67
$1.40
$1.21
$1.17
Envase tipo carrete
$1.12
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
743En existencias
$12.19
$8.82
$7.35
$6.54
$6.11
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
Hoja de datos
6,299En existencias
Cinta cortada
$3.56
$1.79
$1.57
$1.31
$1.28
Envase tipo carrete
$1.22
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
415En existencias
$9.09
$6.40
$5.18
$4.59
$4.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
168En existencias
$12.22
$8.84
$7.37
$6.56
$6.13
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
242En existencias
$7.15
$4.78
$3.85
$3.41
$3.02
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
243En existencias
$9.12
$6.42
$5.20
$4.61
$4.08
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,007En existencias
5,000Se espera el 10/08/2026
Cinta cortada
$12.61
$7.25
$7.07
$6.66
Envase tipo carrete
$6.29
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,245En existencias
Cinta cortada
$9.37
$5.13
$4.73
Envase tipo carrete
$4.47
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
916En existencias
Cinta cortada
$7.10
$3.79
$3.47
$3.28
Envase tipo carrete
$3.10
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
491En existencias
$24.86
$18.57
$16.06
$15.20
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
479En existencias
$12.55
$9.35
$7.80
$6.94
$6.57
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
Hoja de datos
681En existencias
$8.08
$5.41
$4.35
$3.85
$3.42
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
243En existencias
$4.90
$3.21
$2.40
$2.00
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 168 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
69En existencias
$5.55
$2.90
$2.64
$2.23
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 125 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
335En existencias
500Se espera el 10/06/2026
$3.71
$2.04
$1.85
$1.50
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,079En existencias
Cinta cortada
$3.56
$2.32
$1.63
$1.36
$1.30
Envase tipo carrete
$1.18
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
79En existencias
$7.24
$4.74
$3.49
$2.96
$2.75
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
163En existencias
$9.75
$6.66
$5.49
$4.89
$4.63
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
Hoja de datos
73En existencias
$24.00
$19.21
$16.61
$15.73
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2,997Se espera el 10/08/2026
Cinta cortada
$4.14
$2.11
$1.91
$1.59
Envase tipo carrete
$1.49
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 404 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4
Hoja de datos
240Se espera el 11/09/2026
$13.97
$10.64
$8.87
$7.48
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
$1.38
$1.28
$1.21
Min.: 500
Mult.: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Envase tipo carrete
$4.36
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Envase tipo carrete
$2.34
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel