Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000 10,863En existencias
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: 3,000

Infineon Technologies XMC4108Q48K64BAXUMA1
Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC4000 1,368En existencias
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: 2,500

Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000 10,461En existencias
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: 3,000

Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000
5,700En pedido
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: 1,900

Infineon Technologies Microcontroladores ARM - MCU XMC1000 969En existencias
6,000En pedido
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: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 12,997En existencias
5,000Se espera el 08/13/2026
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 18,879En existencias
15,000Se espera el 12/17/2026
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 28,000En existencias
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3 4,615En existencias
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3 10,796En existencias
15,000En pedido
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS 19,773En existencias
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: 4,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 14,307En existencias
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: 4,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC 22,116En existencias
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: 4,000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 126,072En existencias
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: 3,000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg 105,383En existencias
111,000En pedido
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: 3,000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg 42,277En existencias
174,000En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS 2,134En existencias
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: 2,500

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS 3,459En existencias
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: 4,000

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS 408En existencias
9,575En pedido
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: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 2,118En existencias
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3 274En existencias
10,000En pedido
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 22,827En existencias
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 699En existencias
5,000Se espera el 11/26/2026
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 201En existencias
5,000Se espera el 08/13/2026
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: 5,000

Infineon Technologies Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
32,316Se espera el 11/26/2026
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