800V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon 800V CoolMOS™ P7 MOSFETs combine best-in-class performance with ease-of-use. The P7 set a new benchmark in 800V super junction technologies. The transistors offer up to 0.6 percent efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature. The transistors feature optimized device parameters like over 50% reduction in Eoss and Qg, reduced Ciss and Coss. The CoolMOS P7 also enable higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products. The CoolMOS P7 are a perfect fit for low-power SMPS applications.

Resultados: 32
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,868En existencias
Cinta cortada
$3.36
$1.69
$1.52
$1.23
$1.20
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$1.13
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 8,670En existencias
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$1.79
$0.85
$0.758
$0.597
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 9,148En existencias
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$1.39
$0.652
$0.58
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,448En existencias
Cinta cortada
$2.17
$1.05
$0.936
$0.744
$0.691
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$0.612
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,266En existencias
$2.27
$1.10
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,431En existencias
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$0.684
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,449En existencias
$2.99
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$1.34
$1.03
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7,876En existencias
500Se espera el 10/21/2026
$2.55
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7,658En existencias
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$1.44
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Máx.: 2,500
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7,426En existencias
Cinta cortada
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$0.559
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 2,982En existencias
Cinta cortada
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$1.06
$0.848
Envase tipo carrete
$0.695
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: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,499En existencias
2,500Se espera el 10/08/2026
Cinta cortada
$1.51
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$0.40
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 255En existencias
$4.12
$2.30
$2.13
$1.70
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 702En existencias
$2.01
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$0.863
$0.732
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 766En existencias
$4.25
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$1.59
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 769En existencias
$3.49
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$1.31
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 853En existencias
500Se espera el 10/08/2026
$2.66
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$0.937
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 397En existencias
2,500Se espera el 10/19/2026
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$1.64
$0.843
$0.734
$0.58
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$0.471
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice 4,447En existencias
Cinta cortada
$1.29
$0.601
$0.533
$0.414
Envase tipo carrete
$0.334
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 159En existencias
10,000Se espera el 05/13/2027
Cinta cortada
$2.97
$1.51
$1.32
$1.07
Envase tipo carrete
$0.911
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 3 V 24 nC - 50 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,390En existencias
2,500Se espera el 10/19/2026
Cinta cortada
$1.22
$0.565
$0.487
$0.388
Envase tipo carrete
$0.312
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 486En existencias
10,000En pedido
Cinta cortada
$2.47
$1.21
$1.08
$0.861
Envase tipo carrete
$0.759
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,975En existencias
15,000En pedido
Cinta cortada
$1.53
$0.718
$0.639
$0.50
Envase tipo carrete
$0.398
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 663En existencias
Cinta cortada
$1.29
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$0.416
Envase tipo carrete
$0.328
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 30 V 3.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 3,150En existencias
12,000En pedido
Cinta cortada
$1.11
$0.511
$0.453
$0.35
Envase tipo carrete
$0.281
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 3.8 Ohms 20 V 2.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel