Transistores de radiofrecuencia

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Central Semiconductor CMUT5179 TR PBFREE
Central Semiconductor Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF
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Más información disponible

RF Bipolar Transistors SMD/SMT Bipolar Si 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
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Plazo de entrega 19 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MCLP-4 GaAs 45 MHz to 6 GHz 20.7 dBm - 40 C + 85 C 18.6 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 40 MHz 750 W - 55 C + 175 C 17 dB

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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69En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T3
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 900 W - 55 C + 175 C 15 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 100 MHz 400 W - 55 C + 175 C 16 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOE-4 Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 16 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR
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11En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
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Plazo de entrega 22 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 11.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 3 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Si 500 MHz 25 W + 165 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 860 MHz 200 W + 200 C 17.5 dB Reel